DMN2024UTS-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个电源管理或电机驱动方案，是否还在为性能与空间的平衡而困扰？想象一下，一颗集双通道、高效率与卓越热管理于一身的MOSFET阵列，将如何彻底改变您的产品设计格局。现在，答案就在DMN2024UTS-13。这款来自Diodes Incorporated的明星产品，以其高达20V的漏源电压和出色的导通电阻，为您带来前所未有的功率密度与可靠性体验。

无论是需要精密控制的便携式设备电机驱动，还是对空间和效率有严苛要求的DC-DC转换模块，DMN2024UTS-13都能游刃有余。其双N-通道设计让您轻松实现同步整流或互补驱动，大幅简化电路布局。在-55°C至150°C的广阔工作温度范围内，它都能保持稳定输出，确保您的产品无论是在严寒户外还是高温工业环境中，都能持续可靠运行。这意味着，从消费电子到工业自动化，从通信设备到汽车辅助系统，它都是您值得信赖的核心动力源泉。

选择DMN2024UTS-13，就是选择了一种更智能的设计哲学。它极低的栅极电荷和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。紧凑的TSSOP-8封装在节省宝贵PCB空间的同时，其优异的散热性能（Tc条件下连续漏极电流可达15.2A）确保了高负载下的长久稳定。当您需要可靠的原厂供应与技术支援时，遍布全球的DIODES代理商网络随时为您提供从选型到量产的全方位服务。这不仅仅是一颗MOSFET，更是助力您的产品在市场竞争中脱颖而出的强大引擎，立即采用，开启高效能设计的新篇章。

• 型号:DMN2024UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta），15.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:647pF @ 10V
• 功率 - 最大值:890mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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还在寻找一颗能同时兼顾高效率驱动与紧凑布局的解决方案吗？DMN2024UTS-13双N通道MOSFET阵列正是为您而来。它能让您轻松驾驭高达20V电压和15.2A（Tc）的强劲电流，其低至24毫欧的导通电阻，意味着更低的功耗和更出色的热表现，直接提升您终端产品的能效与可靠性。

这颗芯片能为您做什么？它集成了两个高性能的N通道MOSFET，让您在电机驱动、负载开关或电源转换电路中，实现更简洁、更高效的双路控制。其超低的栅极电荷确保快速开关，减少能量损失；宽广的工作温度范围则让您的设计无惧严苛环境挑战。选择它，就是选择用一颗芯片释放双倍性能，让您的设计过程更高效，产品竞争力更强。