DMN3020LK3-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键开关元件，能以更低的导通电阻和更快的开关速度，直接为您的设备注入持久活力与可靠保障。这正是DMN3020LK3-13所带来的核心价值。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

它天生为高效而生。30V的漏源电压和11.3A的连续漏极电流能力，使其在常见的DC-DC转换、电机驱动和负载开关应用中游刃有余。其卓越之处在于，仅需4.5V的低驱动电压即可实现高效导通，而20毫欧的超低导通电阻（在10V Vgs，7A Id条件下）意味着更少的能量以热量的形式被浪费。这直接转化为更长的电池续航、更小的散热器需求以及更凉爽、更安静的系统运行环境。无论是紧凑型消费电子、便携式工具，还是工业控制模块，它都能轻松融入，成为电路中那个沉默却强大的“能量守门员”。

选择DMN3020LK3-13，就是选择了一份经过市场验证的可靠性。其TO-252-3（DPAK）封装兼顾了优异的功率处理能力与PCB空间利用率，表面贴装工艺让自动化生产高效便捷。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在严苛环境下依然稳定如一。当您需要为项目寻找一个性能与成本平衡的优质开关解决方案时，它无疑是经过深思熟虑后的上佳之选。我们建议您通过官方授权的DIODES代理渠道进行咨询与采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持，让您的创新之路毫无后顾之忧。

• 型号:DMN3020LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11.3A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:608 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.17W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又紧凑的核心开关吗？DMN3020LK3-13正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V/11.3A的稳健规格，凭借低至20毫欧的导通电阻和优异的开关特性，它能显著降低导通与开关损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量管理变得更轻松。

它专为优化空间和性能而设计。采用流行的TO-252-3封装，易于焊接和散热，非常适合空间受限的现代电子设备。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，它都能让您的电路运行得更冷静、更可靠，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。