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BZT52C18LP-7的图片

BZT52C18LP-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 18V 250MW 2DFN
原厂封装:封装:X1-DFN1006-2
优势价格,BZT52C18LP-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZT52C18LP-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致紧凑与可靠性的电子设计中,您是否曾为寻找一款能在微小空间内提供稳定电压基准的齐纳二极管而烦恼?今天,我们为您带来一个卓越的解决方案BZT52C18LP-7。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,以其18V的精准稳压能力和仅0402封装的超小体积,正在重新定义便携式与高密度电路的保护标准。它不仅是一颗元件,更是您产品稳定运行的坚实守护者,让您在激烈的市场竞争中,凭借更高的可靠性与更优的BOM成本脱颖而出。

想象一下,在您精心设计的TWS耳机、智能手表或超薄平板电脑中,空间是何等珍贵。BZT52C18LP-7的用武之地正在于此。它完美适配任何需要18V电压钳位或基准源的场景,无论是保护敏感的MCU输入引脚免受电压尖峰冲击,还是在电源管理电路中提供稳定的参考电压。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,意味着从严寒户外到高温车载环境,它都能泰然自若,确保您的设备在各种极端条件下性能如一。选择它,就是为您的产品注入一颗强健的“心脏”,抵御外界干扰,延长使用寿命。

那么,在众多齐纳二极管中,为何独独青睐这颗芯片?答案在于其精妙的平衡艺术。它提供了±6.41%的电压容差,在保证精度的同时兼顾了成本效益;250mW的功率处理能力足以应对大多数低功耗场景的需求,而45欧姆的最大动态阻抗则确保了优异的稳压特性。更值得一提的是,其极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 12.6V)和正向压降(900mV @ 10mA),有效降低了系统功耗,这对于电池供电设备至关重要。当您通过值得信赖的DIODES代理获取这颗芯片时,您获得的不仅是一个高品质的元器件,更是一份对产品长期稳定性的承诺和来自全球领先半导体制造商的技术背书。让BZT52C18LP-7成为您下一个爆款设计中不可或缺的一环,开启高效、可靠的产品创新之旅。

  • 型号:BZT52C18LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 18V 250MW 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V
  • 容差:±6.41%
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • 想获取BZT52C18LP-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的过压保护问题寻找一个既小巧又可靠的方案吗?BZT52C18LP-7正是为您而来的解决方案。这颗18V齐纳二极管,能精准地将电压稳定在您设定的水平,有效吸收意外的电压浪涌和尖峰,像一位忠诚的卫士,保护您电路中昂贵的核心IC免受损坏。

它采用微小的0402表面贴装封装,让您能在极其有限的空间内轻松布局,完美适用于对尺寸有严苛要求的便携式消费电子、物联网模块及可穿戴设备。其宽广的工作温度范围和低至100nA的反向泄漏电流,更能让您轻松应对各种复杂环境,同时优化系统功耗,提升整体能效。选择它,就是选择了一份让设计更高效、让产品更安心的保障。

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