DMN2040UVT-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载高电流、又能实现快速高效开关控制的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。DMN2040UVT-13正是为满足您的严苛需求而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，重新定义了小型化功率开关的可能性。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在空间极其有限的便携式设备内部，比如最新的快充充电宝、高性能无人机飞控或超薄型笔记本电脑中，每一毫米的PCB空间都弥足珍贵。DMN2040UVT-13采用的TSOT-26超薄封装，让它在拥挤的电路板上游刃有余。而其高达6.7A的连续漏极电流和仅24毫欧的超低导通电阻，意味着它能在极小的体积内，高效处理可观的功率，显著减少导通损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。无论是负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器中的同步整流，它都能以闪电般的开关速度和极低的栅极电荷（仅7.5nC），确保系统响应迅捷，整体能效大幅提升。

选择DMN2040UVT-13，就是选择了一份可靠与高效并重的承诺。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种恶劣环境下依然稳定工作，从炎热的汽车引擎舱到寒冷的户外设备，都能应对自如。较低的驱动电压需求（2.5V/4.5V）使其能与现代低电压微处理器完美配合，简化您的驱动电路设计。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，专业的DIODES芯片代理将是您坚实的后盾，确保您能顺利地将这颗高性能芯片集成到您的下一个明星产品中。它不仅仅优化了单个元件的性能，更是为您的整个系统注入了高效、紧凑与可靠的核心价值，助您在激烈的市场竞争中率先冲线。

• 型号:DMN2040UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:667 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在为功率转换效率低下和空间局促而头疼吗？让DMN2040UVT-13来为您解决！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，是专为高效开关应用打造的利器。它能在20V电压下轻松驾驭高达6.7A的连续电流，凭借低至24毫欧的导通电阻，大幅降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更出众。

其超低的栅极电荷和输入电容，确保了极快的开关速度，特别适合高频DC-DC转换、负载开关和电机驱动等场景。采用TSOT-26微型封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时宽温域（-55°C ~ 150°C）设计保障了在各种环境下的可靠运行。选择它，就是为您的设计选择了高效、紧凑与可靠的核心动力。