DMN12M7UCA10-7

想象一下，您的下一代便携设备能否在更小的空间内实现更强的动力与更持久的续航？这正是DMN12M7UCA10-7双N沟道MOSFET阵列芯片为您带来的核心价值。在追求极致能效与紧凑设计的今天，这颗来自Diodes Incorporated的先进功率器件，以其卓越的性能参数，正成为工程师们实现设计突破的秘密武器。

它不仅仅是一个开关，更是系统效率的守护者。其极低的2.75mOhm导通电阻（在6A，4.5V条件下），意味着在高达20.2A的连续电流下，导通损耗被大幅削减，宝贵的电能更多地转化为有效功，而非令人头疼的热量。这直接转化为更长的电池使用时间、更低的散热需求以及更稳定的系统运行。无论是智能手机的快充管理、平板电脑的电源路径切换，还是轻薄笔记本的CPU/GPU供电，它都能游刃有余地应对高电流挑战，让设备在性能全开时依然保持“冷静”。

选择DMN12M7UCA10-7，就是选择了一种面向未来的设计思路。其紧凑的10-SMD无引线封装，完美契合了现代电子产品小型化、高密度的趋势，为您节省宝贵的PCB空间。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了从严寒到酷热各种严苛环境下的可靠性与耐用性。当您需要稳定、高效的功率开关解决方案时，与可靠的DIODES代理合作，获取这颗高性能芯片，无疑是加速产品上市、提升市场竞争力的明智之举。它将复杂的功率管理化繁为简，让您能更专注于产品创新本身，打造出更轻薄、更强大、更受市场欢迎的终端产品。

• 型号:DMN12M7UCA10-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X4-DSN3015-10
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.75mOhm @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 1.11mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X4-DSN3015-10
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还在为空间有限的PCB板上寻找高性能的功率开关而烦恼吗？DMN12M7UCA10-7双N沟道MOSFET阵列正是为您解忧的利器。它能轻松驾驭高达20.2A的连续电流，并以极低的导通电阻（最低仅2.75mOhm）大幅减少功率损耗，直接提升您的系统整体能效，让设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片专为高效开关应用而生，其标准FET功能与宽电压范围（BVDSS 8V-24V）使其成为电池管理、负载开关和DC-DC转换等场景的理想选择。采用先进的表面贴装封装，它不仅节省空间，更能让您高效完成高密度电路板设计，加速产品开发进程。