ZXMP10A16KTC

在追求更高能效与更紧凑设计的电子世界里，您是否正在寻找一颗能在高压侧开关应用中稳定可靠、同时兼顾出色热性能的P沟道MOSFET？答案或许就藏在ZXMP10A16KTC之中。这颗来自Diodes Incorporated的杰出器件，不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升产品竞争力的关键伙伴。它凭借100V的漏源电压和3A的连续漏极电流能力，为各种电源管理、电机驱动和负载开关应用提供了坚实的保障，让您的设计在性能与可靠性上双双跃升。

想象一下，在您的下一款工业电源、电动工具或是汽车电子模块中，ZXMP10A16KTC正默默发挥着核心作用。其P沟道特性简化了高压侧驱动的电路设计，无需额外的电荷泵或电平移位电路，让系统架构更简洁，成本更优化。极低的导通电阻（典型值）意味着更小的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是应对严苛的工业环境温度，还是满足消费电子对空间和散热的极致要求，它都能游刃有余，确保您的产品在各种场景下稳定运行，赢得终端用户的信赖。

选择ZXMP10A16KTC，就是选择了一份安心与高效。其TO-252-3（DPAK）封装不仅提供了优异的功率耗散能力（高达2.15W），便于PCB布局和散热管理，更代表了Diodes一贯的高品质与可靠性标准。从原型设计到批量生产，这颗芯片都能为您提供一致的卓越性能。如果您正在规划采购，通过值得信赖的DIODES代理商，您可以轻松获得正品货源、专业的技术支持以及灵活的供应链服务，让您的产品上市之路更加顺畅。立即将ZXMP10A16KTC纳入您的设计清单，体验它如何为您的应用注入强劲而高效的动力。

• 型号:ZXMP10A16KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:235 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:717 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为高压侧开关电路的设计复杂度和效率问题烦恼吗？让ZXMP10A16KTC来为您轻松化解！这颗100V/3A的P沟道MOSFET，以其优异的电气特性，让您能够高效、简洁地实现电源路径管理、电机控制或负载开关功能。

它拥有低至235毫欧的导通电阻和仅16.5nC的栅极电荷，这意味着更低的功率损耗和更快的开关速度，直接助力您的系统提升能效、减少发热。其坚固的TO-252封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，是您打造高品质、高可靠性产品的理想选择。