DMN2029UVT-13

当您的设计面临空间与效率的双重挑战时，是否曾渴望一颗既能承载大电流，又能将导通损耗降至最低的功率开关解决方案？答案就在DMN2029UVT-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了小型化功率器件的可能性，为您带来前所未有的设计自由度和系统可靠性。

想象一下，在紧凑的便携式设备内部，或是高密度的服务器电源模块中，每一平方毫米的PCB空间都弥足珍贵。DMN2029UVT-13采用的微型TSOT-26封装，正是为征服空间极限而生。它不仅能轻松融入最苛刻的布局，其高达6.8A的连续漏极电流承载能力和低至24毫欧的导通电阻，意味着在开关电源、电机驱动或负载开关等关键路径上，它能以极小的电压降和热能损耗，高效地控制功率流。这种高效能直接转化为更长的电池续航、更低的系统温升以及更稳定的整体性能，让您的产品在竞争中脱颖而出。

从无人机电调需要的高速PWM控制，到智能家居中继模块的节能开关，再到车载充电器的DC-DC转换，DMN2029UVT-13都能游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下依然稳定可靠。选择它，不仅仅是选择了一颗MOSFET，更是选择了一种以高效率和高可靠性为核心的设计哲学。它让工程师能够突破传统尺寸与性能的权衡，专注于实现更创新、更强大的终端产品。若您正在寻找稳定可靠的供应渠道，遍布全球的DIODES代理网络能为您提供全面的技术支持和供货保障，让您的创新之旅畅通无阻。

• 型号:DMN2029UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:646 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在为功率转换效率低下和电路板空间紧张而烦恼吗？DMN2029UVT-13正是您期待的解决方案。这颗高性能N沟道MOSFET能为您高效地控制电路中的功率开关，其仅24毫欧的超低导通电阻，让您在处理高达6.8A电流时，也能将能量损耗和发热降至最低，从而显著提升整体系统效率。

得益于其微型TSOT-26表面贴装封装，它能轻松集成到空间受限的便携式设备、高密度电源模块或任何先进的电子设计中。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更确保了它在各种环境下的稳定表现。选择它，就是选择让您的设计更紧凑、更高效、更可靠。