DMT2004UFDF-13

在追求极致能效的现代电子设计中，您是否还在为功率转换环节的损耗和发热问题而烦恼？想象一下，一个关键开关元件，能够在24V系统中承载超过14安培的电流，同时将导通电阻压降至惊人的6毫欧这不仅仅是参数的提升，更是系统整体性能与可靠性的飞跃。今天，我们向您隆重介绍DMT2004UFDF-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为解决此类挑战而生。

它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的秘密武器。凭借其极低的Rds(on)特性，在9A电流、10V驱动电压下仅产生微乎其微的压降，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更高的转换效率触手可及。无论是对于延长便携设备的电池续航，还是降低高密度电源模块的散热压力，其价值都立竿见影。更令人印象深刻的是，它拥有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和符合AEC-Q101标准的汽车级品质，从炎热的引擎舱到严寒的户外设备，都能稳定如一地工作。

当我们将目光投向其广阔的应用舞台，DMT2004UFDF-13的身影无处不在。在汽车电子领域，它是LED驱动、电机控制、负载开关的理想选择，以车规级的可靠性守护每一次出行。在消费电子和计算设备中，它高效管理着DC-DC转换器、电池保护电路和电源路径，让设备运行更冷静、更持久。其紧凑的6引脚U-DFN封装，仅为2x2毫米，完美契合了当今电子产品小型化、高集成的设计潮流，为您节省宝贵的PCB空间。选择我们的DIODES芯片代理服务，您获得的不仅是一颗顶级芯片，更是从技术选型到供应链支持的全方位保障。

那么，在众多MOSFET中为何独独青睐它？答案在于其卓越的“性能密度”平衡。它将高电流能力、超低导通电阻与微小封装融为一体，解决了功率与尺寸往往不可兼得的矛盾。仅需2.5V的低驱动电压即可高效开启，降低了前级驱动电路的设计复杂度与成本。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，进一步减少了开关损耗。这意味着，选择DMT2004UFDF-13，您就是在为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏，它将以更少的能量损耗、更强的驱动能力和更可靠的工作表现，助您的设计在市场中脱颖而出，赢得先机。

• 型号:DMT2004UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta），12.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 想获取DMT2004UFDF-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能同时征服高电流、低损耗和紧凑空间三大挑战的功率开关吗？DMT2004UFDF-13正是您的答案。这颗N沟道MOSFET拥有24V耐压和高达14.1A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅6毫欧@9A,10V），能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，运行更凉爽。

它专为要求苛刻的应用而设计。其汽车级（AEC-Q101）品质和-55°C至150°C的宽广工作结温，让它能从容应对汽车电子、工业控制等严酷环境。同时，仅2x2毫米的U-DFN封装，让您在追求高功率密度时无需牺牲宝贵的电路板空间。无论是用于负载开关、DC-DC转换还是电机控制，它都能让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。