DMN10H700S-13

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否正在寻找一款能够兼顾高性能与紧凑尺寸的功率开关解决方案？今天，我们为您带来答案DMN10H700S-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压能力和高达700mA的连续漏极电流，为您的设计注入强劲而稳定的动力。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键伙伴。

想象一下，在汽车电子的严苛环境中，从车身控制模块到LED驱动，从传感器接口到小型电机控制，DMN10H700S-13都能游刃有余。它通过了AEC-Q101车规认证，意味着它能在-55°C到150°C的极端温度范围内稳定工作，无惧振动与温度冲击，为您的车载应用提供如同磐石般的可靠性。同时，其SOT-23的超小封装，让它能轻松嵌入空间受限的便携设备、智能家居控制器或工业自动化模块中，在不牺牲性能的前提下，为您的PCB布局赢得宝贵的空间。

选择DMN10H700S-13，就是选择了一份卓越的价值承诺。其低至700毫欧的导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和续航时间。极低的栅极电荷（仅4.6nC）和输入电容，确保了快速的开关速度，让您的电路响应更加敏捷，特别适合高频开关应用。无论是为了优化BOM成本，还是为了追求顶级的性能与可靠性，这颗芯片都提供了令人信服的理由。要获取这颗性能与尺寸完美平衡的芯片，您可以联系专业的DIODES代理商，他们能为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。

总而言之，DMN10H700S-13以其车规级的品质、高效的性能和小巧的形态，正成为工程师们在设计新一代电子产品时的秘密武器。它让高可靠性与高能效触手可及，助您轻松应对设计挑战，将创意更快、更稳地转化为市场领先的产品。

• 型号:DMN10H700S-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMN10H700S-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计需要高效、可靠开关控制的应用吗？DMN10H700S-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达100V的电压和700mA的电流，其出色的导通电阻和快速的开关特性，让您的电源管理或信号切换电路运行得更冷静、更迅捷。

它不仅能大幅提升能效，其坚固的车规级（AEC-Q101）设计和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），更确保了在汽车电子或工业环境等严苛条件下的长久稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的可靠性与高效性能。