DMP4051LK3-13

当您需要一款能在严苛环境下稳定工作，同时兼顾高效率与紧凑设计的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就藏在DMP4051LK3-13这颗卓越的P沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴。凭借其高达40V的漏源电压和7.2A的连续漏极电流能力，它为您的电源管理、电机驱动或负载开关应用提供了坚实可靠的基础，让能量流动尽在掌控。

想象一下，在紧凑的消费电子产品内部，空间寸土寸金，散热挑战严峻。DMP4051LK3-13的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，正是为此类场景量身打造。它不仅能轻松融入高密度PCB布局，其优异的导热性能更能确保在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定运行。无论是智能手机的电源路径管理、便携式设备的电池保护电路，还是车载充电器中的高效开关，这颗芯片都能以极低的导通电阻（仅51毫欧@12A,10V）和快速的开关特性，显著降低导通损耗和开关损耗，直接转化为更长的电池续航和更低的系统温升，让终端用户体验到实实在在的改善。

选择DMP4051LK3-13，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺与性能保障。它拥有极低的栅极电荷（仅14nC）和输入电容，这意味着驱动它变得异常轻松，可以使用更小、更经济的驱动电路，从而简化您的设计并降低整体BOM成本。其优化的Vgs(th)阈值电压确保了稳健的噪声容限和可靠的开关控制。对于寻求可靠供应链和技术支持的工程师而言，通过官方授权的DIODES中国代理进行采购，不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能获得及时的本土化技术支持和充足的库存供应，让您的项目从研发到量产全程无忧。让DMP4051LK3-13成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的能量管理新篇章。

• 型号:DMP4051LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:51 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:674 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMP4051LK3-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能显著提升系统效率、同时简化驱动设计的P沟道MOSFET？DMP4051LK3-13正是您理想的解决方案。它能在高达40V的电压和7.2A的电流下稳定工作，凭借低至51毫欧的导通电阻，它能大幅降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片专为高效开关而优化。其极低的栅极电荷和输入电容，让您能够使用更简单的驱动电路轻松、快速地控制它，从而简化整体设计并降低成本。无论是用于电源切换、电机控制还是负载管理，DMP4051LK3-13都能以卓越的性能和可靠性，助力您的产品在市场中脱颖而出。