DMT67M8LCG-7

想象一下，当您的电源管理系统需要在严苛环境下保持稳定输出，同时还要兼顾紧凑的PCB布局时，什么样的功率开关器件才能同时满足高效、可靠与节省空间的需求？这正是DMT67M8LCG-7被设计出来的核心使命。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的强大引擎。其高达60V的漏源电压和16A（Ta）/64.6A（Tc）的连续漏极电流能力，意味着它能轻松应对工业电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中的大电流开关挑战，为您提供坚实的性能基石。

在当今追求高效率与高功率密度的电子设备中，每一毫瓦的损耗都至关重要。DMT67M8LCG-7凭借其极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅5.7毫欧@20A，将开关过程中的导通损耗降至极低水平。这不仅直接提升了系统的整体能效，减少了热量产生，更意味着您的产品可以运行得更凉爽、更持久。无论是服务器电源单元需要高效的能量转换，还是电动工具要求瞬间爆发大电流，这颗芯片都能以出色的电气性能，确保动力传输的顺畅与高效。选择它，就是为您的产品注入了高效节能的基因。

除了强大的“内功”，DMT67M8LCG-7在“外在”设计上也极具匠心。它采用先进的V-DFN3333-8（B类）表面贴装封装，体积小巧，热性能优异，非常适合空间受限的现代电子设备。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了它在极端环境下依然稳定可靠，让您的产品无惧严寒酷暑的考验。当您需要为项目寻找一个集高性能、高可靠性与高集成度于一体的功率开关解决方案时，DMT67M8LCG-7无疑是您的理想之选。为了确保您能获得原厂正品与完善的技术支持，我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购，这不仅是品质的保障，更是项目顺利推进的坚实后盾。

• 型号:DMT67M8LCG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取DMT67M8LCG-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能兼顾大电流、低损耗与紧凑封装的功率MOSFET而烦恼吗？DMT67M8LCG-7正是为您量身打造的解决方案。它能轻松驾驭高达60V的电压和64.6A（Tc）的强劲电流，并以低至5.7毫欧的导通电阻，显著降低系统开关损耗，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片采用先进的8DFN封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其优异的散热设计更能确保在高负载下稳定工作。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，选择DMT67M8LCG-7，就是为您的产品选择了一个强大而可靠的核心动力开关。