DMG3402LQ-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载高电流，又能保持超低导通损耗的紧凑型MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的DMG3402LQ-13，正是这个问题的完美答案。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和汽车级的可靠性，正在重新定义小型化功率开关的标准。

想象一下，在您的下一款车载充电器、LED驱动模块或便携式设备中，一颗仅有SOT-23封装的芯片，却能稳健地处理高达4A的连续电流，同时将导通电阻压降至惊人的52毫欧。这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的电能被高效地输送到负载端，直接为您带来更长的电池续航、更低的系统温升以及更紧凑的散热设计空间。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是为产品应对严苛环境挑战注入了强心剂。

无论是汽车电子中的电机控制、负载开关，还是消费电子里的电源管理、电池保护电路，DMG3402LQ-13都能游刃有余。它极低的栅极电荷（仅11.7nC）和输入电容，意味着驱动它所需的能量更少，开关速度可以更快，从而让您的系统整体响应更迅捷，效率曲线更加漂亮。选择它，不仅仅是选择了一颗MOSFET，更是选择了一种致力于提升终端产品竞争力的设计哲学。

在元器件选型时，性能参数固然关键，但稳定的供应链和品质保障同样不容忽视。通过正规的DIODES授权代理渠道获取DMG3402LQ-13，您不仅能确保获得原厂正品，享受AEC-Q101车规级认证带来的品质安心，还能获得专业的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。让这颗高性能的小巨人，成为您下一个爆款产品中不可或缺的效能核心。

• 型号:DMG3402LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:464 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭4A电流，却只占用板卡角落空间的功率开关吗？DMG3402LQ-13正是为您而来。这颗30V N沟道MOSFET，凭借仅52毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它拥有高达1.4W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，确保在严苛环境下依然稳定可靠。其优化的栅极特性让驱动设计变得简单，帮助您快速实现高性能、高可靠性的系统。选择它，就是为您的产品选择了一份强劲而小巧的“动力心脏”。