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BAS40W-04-7-F-79的图片

BAS40W-04-7-F-79

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ARR SCHOT 40V 200MA SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,BAS40W-04-7-F-79的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BAS40W-04-7-F-79的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的电子设计领域,您是否还在为信号处理路径上的微小损耗而烦恼?当每一毫安的电流、每一纳秒的延迟都至关重要时,选择正确的肖特基二极管阵列,就是为您的产品性能奠定坚实基石。今天,我们向您隆重介绍一款在紧凑封装内蕴藏卓越性能的解决方案BAS40W-04-7-F-79。这款来自Diodes Incorporated的明星产品,以其高达40V的反向电压和仅200mA下1V的超低正向压降,为您的高频、高效率应用扫清障碍,让能量传递更直接,信号更纯净。

想象一下,在您的手持设备、便携式医疗仪器或高速数据接口模块中,空间何其宝贵。BAS40W-04-7-F-79采用的SOT-323超小型封装,如同一颗精密的电子心脏,能轻松嵌入最紧凑的PCB布局中,为您节省出宝贵的板面空间,用于实现更多创新功能。其1对串联的二极管配置,特别适合需要电压钳位、信号隔离或逻辑电平转换的场合。无论是智能手机中的RF模块保护,还是TWS耳机充电仓的精密电源管理,这颗芯片都能以其仅5ns的超快反向恢复时间,确保高速开关动作干净利落,有效抑制电压尖峰和振铃,守护后端敏感电路的安全与稳定。

为什么众多工程师在面临关键选型时,会倾向于信赖这款产品?答案在于它带来的综合价值远超一个简单的元件。在-55°C至125°C的宽温范围内稳定工作,意味着您的产品能够从容应对严寒酷暑的挑战,可靠性毋庸置疑。极低的反向泄漏电流(30V下仅200nA)最大限度地减少了静态功耗,这对于电池供电的物联网设备而言,直接转化为更长的续航时间。选择BAS40W-04-7-F-79,不仅是选择了一个高性能的肖特基二极管阵列,更是选择了一种致力于提升终端产品竞争力的设计哲学。当您需要可靠、高效的二极管解决方案时,与专业的DIODES芯片代理合作,能确保您获得正品货源与全面的技术支持,让您的创新之旅畅通无阻。

  • 型号:BAS40W-04-7-F-79
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARR SCHOT 40V 200MA SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:1 对串行连接
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC)
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
  • 速度:小信号 =\< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr):5 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 30 V
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取BAS40W-04-7-F-79的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、快速响应与极致紧凑的肖特基二极管吗?BAS40W-04-7-F-79正是为您的高要求应用而生。这颗采用SOT-323封装的二极管阵列,集成了1对串联的肖特基二极管,能轻松胜任高达40V的反向电压和200mA的整流电流,其超低的正向压降(1V @ 40mA)能显著减少功率损耗,提升系统整体能效。

更令人印象深刻的是其高达5ns的反向恢复速度,让它在高频开关和信号处理电路中游刃有余,有效避免信号失真。无论是用于电源路径的整流保护,还是高速信号的钳位与整形,它都能让您的设计更加稳健可靠。其表面贴装形式和宽工作温度范围(-55°C ~ 125°C),让您能轻松将其集成到各种严苛环境下的电子产品中,是实现高性能、高密度设计的得力助手。

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