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APT13005DTF-G1的图片

APT13005DTF-G1

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS NPN 450V 4A TO-220F-3
原厂封装:封装:TO-220F-3
优势价格,APT13005DTF-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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APT13005DTF-G1的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求更高能效与可靠性的电源设计中,您是否曾为高压开关应用中的晶体管选型而困扰?当系统需要承受450V高压并稳定输出4A电流时,传统的解决方案往往在效率、热管理和长期稳定性上捉襟见肘。今天,我们为您带来一个能够彻底改变这一局面的高性能解决方案APT13005DTF-G1。这颗来自Diodes Incorporated的NPN功率晶体管,以其卓越的450V集射极击穿电压和4A的集电极电流能力,为高压开关和线性放大应用树立了新的性能标杆。它不仅意味着更强的驱动能力和更宽的安全工作区,更代表着系统整体可靠性的飞跃式提升。

想象一下,在开关电源(SMPS)的初级侧,在电子镇流器驱动电路中,或是在电机控制与工业自动化设备里,APT13005DTF-G1都能成为您最值得信赖的“能量闸门”。其高达28W的功率处理能力,配合低至900mV的饱和压降(在4A条件下),意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。这直接转化为更高的系统效率、更小的散热器需求,以及更长的产品使用寿命。无论是应对-65°C的严寒还是150°C结温的严酷考验,它都能稳定工作,确保您的设备在各种极端环境下持续可靠运行。

选择APT13005DTF-G1,就是选择了一份经得起验证的品质与性能保障。它采用经典的TO-220-3通孔封装,不仅便于安装和散热,也简化了您的生产流程。其4MHz的跃迁频率确保了在开关应用中拥有快速的响应速度,有效减少开关损耗。更重要的是,当您通过值得信赖的DIODES代理商获取这颗芯片时,您获得的不仅仅是元器件本身,更是完整的技术支持、稳定的供货保障以及源自Diodes Incorporated的强大品牌背书。它将复杂的高压、大电流控制任务化繁为简,让您的设计团队能够将精力专注于系统创新,而非基础器件的可靠性担忧。立即采用APT13005DTF-G1,为您的下一款高性能电源或驱动产品注入强劲、可靠的核心动力!

  • 型号:APT13005DTF-G1
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-220F-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 450V 4A TO-220F-3
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):450 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):900mV @ 1A,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):8 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大值:28 W
  • 频率 - 跃迁:4MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220F-3
  • 想获取APT13005DTF-G1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务的“核心引擎”吗?APT13005DTF-G1正是为您而来。这颗NPN双极性晶体管拥有高达450V的击穿电压和4A的持续电流能力,让您在设计开关电源、电子镇流器或电机驱动电路时,拥有更宽的安全余量和更强的驱动信心。

它不仅能高效处理28W的功率,其低饱和压降特性更能显著减少导通损耗,帮助您的系统提升能效、降低温升。广泛的温度适应范围(-65°C ~ 150°C)和可靠的TO-220封装,确保它在各种严苛环境下都能稳定工作,是您打造高效、耐用产品的理想选择。

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