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BZX84C12W-7-F的图片

BZX84C12W-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 12V 200MW SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,BZX84C12W-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZX84C12W-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统不稳定而烦恼?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,BZX84C12W-7-F就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的12V齐纳二极管,以其精准的电压箝位能力和卓越的稳定性,成为工程师们构建稳健电路的秘密武器。它不仅仅是一个元件,更是您产品可靠性的坚实守护者,确保您的设计在各种环境下都能稳定运行,有效延长设备寿命,提升终端用户体验。

想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器模块或车载辅助系统中,空间极其宝贵,而性能要求却丝毫不能妥协。BZX84C12W-7-F正是为此而生。它采用超紧凑的SOT-323封装,占地面积微小,却能提供高达200mW的功率处理能力,完美适应高密度PCB布局。无论是作为12V电压基准源,为ADC或比较器提供精准参考;还是用于瞬态电压抑制,保护敏感的MOSFET栅极或IC输入引脚免受意外浪涌损害;亦或在低功耗电路中实现简单的电压调节,它都能游刃有余。其宽广的工作温度范围(-65°C至125°C)意味着它能从容应对从工业严苛环境到夏日车内高温的各种挑战,让您的产品无惧温度变化,始终如一。

选择BZX84C12W-7-F,就是选择了一份安心与高效。其±5%的严格容差确保了电压基准的一致性,减少了系统校准的复杂度。极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 8V)意味着它在待机或关断状态下几乎不消耗额外功率,这对于电池供电设备至关重要,能显著延长续航时间。同时,其出色的动态阻抗特性保证了在负载变化时电压依然稳定。为了确保您获得的是原装正品与可靠的技术支持,我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购。这不仅能保障芯片的卓越品质和稳定供应,更能让您的产品从源头就具备市场竞争力。让BZX84C12W-7-F成为您下一个成功设计的基石,用微小的投入,换取系统性能的巨大飞跃和长期运行的绝对可靠。

  • 型号:BZX84C12W-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 12V 200MW SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取BZX84C12W-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能在微小空间内提供精准电压保护和基准的解决方案吗?BZX84C12W-7-F正是您的理想之选。这颗12V齐纳二极管专为现代紧凑型电子设备设计,它能为您提供稳定的12V电压箝位,有效吸收意外电压尖峰,保护后端精密电路免受损坏,让您的设计更加稳健可靠。

凭借仅200mW的功耗和SOT-323超小封装,它能让您轻松实现高密度板级布局,节省宝贵空间。其宽广的-65°C至125°C工作温度范围和±5%的电压精度,确保您的产品在各类严苛环境下都能高效、稳定地运行,极大提升了最终产品的耐用性和市场竞争力。

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