DMTH10H025LK3-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为功率开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要在高电压、大电流下稳定运行时，一个关键元件的选择往往决定了整个方案的成败。今天，我们向您隆重介绍一款能够彻底改变您设计体验的功率开关解决方案DMTH10H025LK3-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和高达51.7A的连续漏极电流承载能力，为您打开了通往更高功率密度和更可靠系统的大门。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

想象一下，在新能源汽车的OBC（车载充电机）中，电能需要被高效、快速且安全地转换与管理。DMTH10H025LK3-13正是为此类严苛的汽车级应用而生。它符合AEC-Q101标准，能够在-55°C至175°C的极端结温范围内稳定工作，确保您的设计无惧寒冷冬日或炎炎夏日的挑战。其卓越的导通电阻特性在10V驱动电压下仅22毫欧，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体效率，让电池续航更持久，充电速度更快。无论是电机驱动、DC-DC转换器，还是各类电源管理模块，它都能游刃有余，成为系统心脏中最强劲的搏动。

选择DMTH10H025LK3-13，就是选择了一份安心与高效。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，使得开关过程更加迅速、干净，显著降低了开关损耗，让您的电源设计轻松应对高频开关需求。采用TO-252（D-Pak）封装，不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产线，助力您实现规模化、高一致性的生产。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系专业的DIODES芯片代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让DMTH10H025LK3-13成为您下一款明星产品的基石，共同开启高效、可靠的电力电子新纪元。

• 型号:DMTH10H025LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1477 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMTH10H025LK3-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和51.7A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅22mΩ），能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，直接帮助您提升产品性能并降低运营成本。

它专为汽车级（AEC-Q101）和高可靠性应用设计，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在极端环境下依然稳定如一。优化的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现高频高效开关，而TO-252封装则提供了出色的散热性和便捷的贴装工艺。选择它，就是为您的电机驱动、电源转换或负载开关应用注入一颗强劲、可靠的心脏。