BS170PSTOA

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款性能稳定、成本可控的开关控制核心而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案BS170PSTOA。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的耐压能力和270mA的连续漏极电流，在无数经典设计中证明了其价值。它可能不是参数最耀眼的明星，但却是工程师手中最值得信赖的“老将”，在需要稳定开关、信号调理或负载驱动的场合，它总能出色地完成任务，让您的设计基础坚如磐石。

想象一下，在您的智能家居控制板、便携式设备电源管理模块或是工业传感器接口电路中，BS170PSTOA正默默发挥着关键作用。它那经典的TO-92兼容封装（E-Line），让原型制作和批量生产都变得轻松便捷；仅需10V的驱动电压即可实现高效导通，大大简化了您的驱动电路设计。无论是处理小功率信号的切换，还是作为更大功率器件的预驱动，它都能游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更是赋予了产品适应严苛环境的能力，从温暖的室内到寒冷的户外，性能始终如一。

选择BS170PSTOA，就是选择了一份经过市场长期验证的可靠性。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用历史，意味着您拥有极其丰富的参考资料和替代方案评估空间。对于许多仍在生产的经典产品或维护项目而言，它依然是不可或缺的选择。当您需要获取这款经典器件或咨询其替代方案时，可以随时联系专业的DIODES代理商，他们能为您提供准确的库存信息、技术支持以及可靠的供应链保障。让这颗久经沙场的MOSFET，继续为您的创新注入稳定而强大的动力，以极高的性价比守护您产品的每一个开关瞬间。

• 型号:BS170PSTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取BS170PSTOA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计一个需要高效、可靠开关控制的小功率电路吗？BS170PSTOA正是为您而来。这颗N沟道MOSFET就像一个反应敏捷的电子开关，能在高达60V的电压下，轻松控制270mA的电流通断。它的核心使命，就是让您以极简的电路和极低的控制成本，实现对信号或小功率负载的精准、高效管理。

得益于其10V的低驱动电压和经典的TO-92兼容封装，您可以轻松地将它集成到您的原型或产品中，无需复杂的驱动设计。无论是用于信号切换、电平转换，还是驱动继电器、LED等小功率负载，BS170PSTOA都能稳定工作，帮助您简化设计、提升系统可靠性。选择它，就是为您的项目选择了一位经验丰富、值得信赖的“执行者”。