DMTH3004LFGQ-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键元件的微小改进，就能为整个系统带来显著的性能提升和成本优化。这正是DMTH3004LFGQ-7诞生的初衷它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其卓越的电气特性重新定义了高效开关的标准。其超低的5.5毫欧导通电阻（Rds(on)），意味着在高达20A的电流下，导通损耗被大幅削减，更多的电能被有效利用，而非转化为无谓的热量。配合高达75A的连续漏极电流（Tc）承载能力，它让高功率密度设计变得游刃有余。从车载充电器、DC-DC转换器到电机驱动，在那些对可靠性、效率和空间要求都极为严苛的汽车电子（AEC-Q101认证）和工业应用场景中，它都能稳定发挥，确保您的系统在-55°C至175°C的广阔温度范围内持续高效运行。

选择DMTH3004LFGQ-7，就是选择了一份安心与领先。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，显著降低了驱动损耗和开关延迟，让您的开关频率可以更高，磁性元件体积得以缩小，从而实现系统整体的小型化与轻量化。PowerDI3333-8封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积更是为寸土寸金的PCB布局解除了后顾之忧。当您需要可靠、高性能的半导体解决方案时，与专业的DIODES代理商合作，不仅能确保您获得正品货源和稳定的供应，更能获得及时的技术支持，让这颗芯片的价值在您的设计中得到百分百的释放。

• 型号:DMTH3004LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMTH3004LFGQ-7正是为您破解这一难题的关键。它是一款高性能的N沟道MOSFET，拥有30V的漏源电压和高达75A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅5.5毫欧@10V）。这意味着它能显著减少导通状态下的功率损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片专为要求严苛的汽车（AEC-Q101认证）和工业应用而设计。它能让您轻松实现更高的功率密度和开关频率，同时其优异的散热性能和紧凑的PowerDI3333-8封装，帮助您节省宝贵的电路板空间。无论是提升现有方案的能效，还是开发新一代高可靠性产品，选择它，就是为您的设计注入了强劲而可靠的动力核心。