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DMN3018SSD-13
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DMN3018SSD-13价格
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DMN3018SSD-13技术资料
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DMN3018SSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,DMN3018SSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN3018SSD-13的技术资料下载
DMN3018SSD-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DMN3018SSD-13
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):6.7A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 10A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):13.2nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):697pF @ 15V
功率-最大值:1.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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