ZXMP10A17GQTC

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为平衡性能与空间而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出ZXMP10A17GQTC，这颗来自Diodes Incorporated的卓越P沟道MOSFET，正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在汽车电子系统中，一个稳定可靠的负载开关如何保障关键模块的供电安全；在工业控制板卡上，高效的电源路径管理如何让设备在严苛环境下持续稳定运行；又或者，在您手中的便携式设备里，如何用更小的空间实现更持久的续航与更快的充电速度。ZXMP10A17GQTC正是为这些场景量身打造。它拥有100V的高耐压和1.7A的连续电流能力，配合低至450毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体效率与可靠性。其符合AEC-Q101车规标准，并支持-55°C至150°C的宽工作结温，无论是面对北方严寒还是引擎舱旁的高温，都能从容应对，为您的产品注入坚如磐石的品质基因。

选择ZXMP10A17GQTC，就是选择了一份省心与高效。它采用成熟的SOT-223封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加灵活纤薄。仅需6V至10V的驱动电压即可实现优异的开关性能，搭配极低的栅极电荷，显著降低了驱动电路的复杂度和功耗，让系统设计事半功倍。这意味着您可以缩短开发周期，更快地将创新产品推向市场。要获得这颗性能与可靠性兼备的芯片，只需联系专业的DIODES代理商，即可获得从选型支持到稳定供货的全流程服务。立即行动，让ZXMP10A17GQTC成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能控制新纪元！

• 型号:ZXMP10A17GQTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 1.2A，6V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:424 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在寻找一颗能兼顾高性能与小尺寸的负载开关解决方案吗？ZXMP10A17GQTC正是您的理想之选。这颗100V、1.7A的P沟道MOSFET，凭借其低至450毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为严苛环境设计，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保在汽车电子、工业控制等应用中稳定可靠。采用SOT-223封装，在节省空间的同时提供了良好的散热性能。其优化的栅极特性让驱动设计变得异常简单，助您轻松实现高效的电源切换与管理，加速产品上市进程。