BSS84WQ-7-F

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能简化电路、又能稳定控制微小电流的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个微小身躯蕴含巨大能量的解决方案BSS84WQ-7-F。这款来自Diodes Incorporated的P通道MOSFET，以其50V的耐压和130mA的连续漏极电流能力，正成为便携设备、智能传感器和低功耗模块中不可或缺的“高效开关”。

想象一下，在您的蓝牙耳机、智能手环或物联网传感器中，需要一颗元件来精准管理电源的开启与关断，以实现更长的待机时间。BSS84WQ-7-F正是为此而生。它采用先进的MOSFET技术，在仅需5V的低驱动电压下，就能实现优异的导通性能（最大导通电阻仅10欧姆@100mA, 5V），这意味着它能以极低的自身损耗完成开关任务，将更多宝贵的电能留给核心功能电路。其超小的SOT-323封装，如同电路板上的“隐形卫士”，几乎不占用任何空间，却能为您的设计带来显著的能效提升和布局自由度。

选择BSS84WQ-7-F，不仅仅是选择了一颗可靠的MOSFET，更是选择了一种面向高效、紧凑型设计的先进理念。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种严苛环境下的稳定表现，无论是炎夏的户外设备还是寒冬的工业节点，都能从容应对。其极低的输入电容（最大45pF @ 25V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合对响应速度和功耗极其敏感的电池供电场景。当您需要为产品注入持久续航与可靠控制的基因时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您服务，助力您的创意从蓝图走向市场。

• 型号:BSS84WQ-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在为低功耗电路中的电源切换寻找最佳拍档吗？BSS84WQ-7-F就是您期待的那颗“高效节能芯”！它专为精准控制微小电流而设计，能以仅5V的低电压轻松驱动，实现快速、稳定的开关动作，让您的便携设备、传感器模块获得更长的续航生命。

这颗P沟道MOSFET集50V耐压、130mA电流能力于一身，却拥有仅10欧姆的低导通电阻，能极大减少开关过程中的能量损耗。其微小的SOT-323封装让您能从容应对紧凑的PCB空间挑战，而宽广的-55°C至150°C工作温度范围，则确保了它在各种环境下都能可靠工作。选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠与紧凑的完美平衡。