ZXMP10A17E6TA

当您的设计需要在高电压环境下实现稳定可靠的功率开关控制时，您是否曾为寻找一款兼具性能、效率与成本优势的解决方案而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出ZXMP10A17E6TA，这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，正是为应对严苛应用挑战而生的卓越之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、优化系统性能的关键赋能者。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动电路或负载开关应用中，一颗芯片需要默默承受高达100V的电压考验，同时还要确保极低的导通损耗和快速的开关响应。ZXMP10A17E6TA正是为此而生。其P沟道设计简化了驱动逻辑，在1.3A的连续电流下依然游刃有余，而低至350毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的热量产生和更高的能源效率，直接为您的终端设备带来更长的续航和更稳定的运行。无论是工业自动化设备中的精密控制，还是消费电子产品中的高效电源路径管理，它都能轻松融入，成为系统背后可靠的力量支柱。

选择ZXMP10A17E6TA，就是选择了一份经得起验证的品质与价值。其紧凑的SOT-26封装完美适配高密度PCB布局，帮助您节省宝贵的板级空间。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在极端环境下依然性能如一，大大提升了产品的环境适应性和可靠性。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）带来了更迅捷的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，我们的DIODES代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全流程服务。让ZXMP10A17E6TA成为您下一个成功项目的强大心脏，开启高效、可靠设计的新篇章。

• 型号:ZXMP10A17E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.1 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:424 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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还在为高电压开关应用寻找一颗“得力干将”吗？ZXMP10A17E6TA P沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能轻松胜任高达100V电压、1.3A电流的开关任务，凭借其低至350毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。

这颗芯片专为简化您的设计而生。其优化的驱动特性（Vgs(th)最大4V）和快速的开关性能（低栅极电荷），让您能够轻松实现高效、响应迅速的控制逻辑。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载切换，它都能以紧凑的SOT-26封装，为您节省空间，同时凭借-55°C至150°C的宽广工作温度范围，确保在各种环境下稳定可靠地工作。