DMN4009LK3-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在40V电压下稳定承载18A电流的MOSFET，其导通电阻低至惊人的8.5毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为您系统整体效率的提升和运行成本的降低。这正是DMN4009LK3-13为您带来的核心价值它不仅仅是一个开关，更是您产品性能与可靠性的坚实保障。

无论是紧凑型DC-DC转换器、高效的电机驱动模块，还是需要精密控制的负载开关应用，DMN4009LK3-13都能游刃有余。其N沟道设计和优化的栅极电荷（仅21nC @ 4.5V）确保了快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，电磁干扰更低。从工业自动化设备到消费类电子产品的电源部分，这颗芯片都能无缝融入，在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，从容应对各种严苛环境挑战。

选择DMN4009LK3-13，就是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。它采用成熟的TO-252-3（DPAK）封装，在提供出色散热性能的同时，也便于自动化贴装生产，能有效帮助您优化生产流程、控制制造成本。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的DIODES代理渠道，您依然可以获得稳定库存，为现有产品的长期维护和生命周期管理提供关键支持。让这颗集高效、可靠与高性价比于一身的MOSFET，成为您下一款成功产品中不可或缺的“能量心脏”。

• 型号:DMN4009LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2072 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.19W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMN4009LK3-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？DMN4009LK3-13正是您的理想之选。它是一款40V/18A的N沟道MOSFET，其超低的8.5毫欧导通电阻能显著降低开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片拥有优化的开关特性，栅极电荷低至21nC，配合4.5V/10V的驱动电压，能让您轻松实现快速、精准的开关控制，有效提升系统整体响应速度与能效。其坚固的TO-252-3封装和宽达-55°C至150°C的工作结温，确保了它在各种应用环境中都能稳定持久地工作。