DMP3036SFG-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一个关键元件能将导通电阻降至惊人的20毫欧，同时承载高达8.7A的连续电流，这不仅仅是参数的提升，更是系统整体性能与可靠性的飞跃。这正是DMP3036SFG-13为您带来的核心价值它不仅仅是一颗P沟道MOSFET，更是您打造高效、紧凑、可靠应用的基石。

无论是需要精密控制的便携式设备电池保护电路，还是空间受限的负载开关与电源路径管理，这颗芯片都能游刃有余。其30V的漏源电压和仅需2.5V即可有效开启的特性，使其在3.3V或5V的低压系统中表现尤为出色，轻松实现高效的功率切换。在电机驱动、DC-DC转换器的同步整流侧，或是任何需要高效率、低热耗散的能量控制节点，DMP3036SFG-13都能确保能量以最小的损失进行传递，让您的终端产品运行更凉爽，续航更持久。

选择DMP3036SFG-13，意味着您选择了一种经过优化的平衡。它采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供卓越散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，非常适合现代电子设备高密度集成的需求。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质。当您寻求稳定可靠的供应链与技术支持时，通过官方授权的DIODES代理进行采购，无疑是保障项目顺利推进、获得原厂品质与服务的明智之选。让这颗高效能的MOSFET成为您下一个设计中的亮点，驱动创新，赢在未来。

• 型号:DMP3036SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为寻找一颗既能承受大电流又具备超低导通电阻的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3036SFG-13正是您理想的解决方案。它能在仅10V的驱动电压下，实现低至20毫欧的导通电阻，轻松驾驭高达8.7A的连续电流，显著降低开关损耗和发热，让您的电源管理设计更高效、更可靠。

这颗芯片采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，不仅节省电路板空间，其优异的散热特性更能确保系统在-55°C至150°C的广泛温度范围内稳定工作。无论是用于电池保护、负载开关还是电机控制，DMP3036SFG-13都能以卓越的性能，助您轻松提升产品能效与整体竞争力。