ZXMN10A25KTC

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受高压冲击，又能保持低损耗、高可靠性的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的ZXMN10A25KTC，正是这样一颗能完美平衡性能与效率的N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。

想象一下，在您的电源适配器、电机驱动板或LED照明驱动电路中，一颗MOSFET需要默默承受高达100V的电压，同时流畅地控制数安培的电流。这正是ZXMN10A25KTC的舞台。它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至125毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的电能被高效地转化为您需要的动力或光亮。其卓越的开关特性，得益于仅17.16nC的低栅极电荷，让开关动作迅速而干净，显著减少了开关损耗，使得整个系统运行起来更加凉爽、安静且持久。

无论是工业自动化设备中需要精准控制的电机，还是消费电子里要求长时间待机的电源管理模块，甚至是汽车电子中的辅助控制系统，ZXMN10A25KTC都能游刃有余。它宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定表现，而TO-252-3（DPAK）的表面贴装封装，则为您的大规模生产提供了便利与可靠性。选择它，就是为您的产品注入了Diodes Incorporated领先的半导体工艺基因，从源头保障品质。如果您正在寻找可靠的供应链伙伴，专业的DIODES芯片代理能为您提供全面的技术支持与供货保障。

归根结底，选型就是选择价值。ZXMN10A25KTC以其4.2A的连续漏极电流能力和高达2.11W的功率耗散，为您的小型化、高密度设计提供了坚实的功率处理基础。它不仅仅满足了参数表上的需求，更通过降低系统整体功耗、提升效率、增强可靠性，为您带来了更低的运营成本、更长的产品寿命和更卓越的用户体验。让这颗高效能的MOSFET，成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:ZXMN10A25KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:859 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取ZXMN10A25KTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为开关电源的效率瓶颈而困扰吗？ZXMN10A25KTC N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能轻松驾驭100V电压和4.2A电流，凭借低至125毫欧的导通电阻和快速的开关特性，显著降低导通与开关损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

这颗芯片采用坚固的TO-252-3封装，适合表面贴装生产，并能适应从-55°C到150°C的严酷工作环境。无论是提升现有产品的能效，还是开发新一代高可靠性设备，选择ZXMN10A25KTC，就是选择了一份让设计更简单、让性能更出众的保障。