DMN67D8L-13

当您的设计需要在有限空间内实现高效功率控制时，是否曾为寻找一颗兼具性能与可靠性的小型MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMN67D8L-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的漏源电压和210mA的连续漏极电流能力，为您的小型化、高密度设计注入强大动力。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

想象一下，在便携式医疗设备的精密电路板中，或在物联网传感器的核心模块里，空间是何等珍贵。DMN67D8L-13采用经典的SOT-23封装，体积小巧却功能强大，能轻松融入各种紧凑布局。其高达150°C的结温工作范围，确保了在严苛环境下的稳定运行，无论是工业自动化现场的温控模块，还是汽车电子中的辅助控制系统，它都能从容应对，成为您产品可靠性的坚实基石。选择我们的DIODES代理服务，您将获得从这颗芯片开始的全方位技术支持与稳定供货保障。

为何众多工程师在关键设计中信赖DMN67D8L-13？其卓越的开关特性给出了完美解答。仅需5V的低驱动电压即可实现高效导通，最大导通电阻低至5欧姆，这意味着更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，极低的栅极电荷（最大0.82nC）和输入电容（最大22pF），显著减少了开关过程中的能量损失和驱动电路的负担，让您的系统运行更快速、更凉爽、更持久。从电池供电设备到信号切换电路，它都能让您的设计脱颖而出，将能效与性能提升到一个全新高度。

• 型号:DMN67D8L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:340mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMN67D8L-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的开关器件而犹豫吗？让DMN67D8L-13为您开启高效设计新篇章。这颗N沟道MOSFET专为空间受限的应用而生，其60V的耐压和210mA的电流处理能力，让您能在便携设备、传感器模块等紧凑设计中，轻松实现精准可靠的功率切换与控制。

它采用先进的MOSFET技术，具备优异的开关特性。仅需2.5V的低阈值电压即可启动，5V驱动下便能实现高效导通，让您的控制电路设计更简单。极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关响应和极低的驱动损耗，从而显著提升系统整体能效，延长电池寿命。选择它，就是选择了一份让产品更小巧、更高效、更可靠的承诺。