ZXMN10A08DN8TC

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗集双通道、高耐压与低导通电阻于一身的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。这正是ZXMN10A08DN8TC带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效紧凑设计的秘密武器。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道双MOSFET阵列，天生就是为高效开关而生的。其100V的漏源电压和1.6A的连续漏极电流，赋予了它从容应对各类中压场景的底气。无论是智能家居中需要精密控制的电机驱动，还是工业自动化设备里频繁切换的负载开关，甚至是便携式设备中至关重要的电池保护与电源路径管理，它都能以出色的稳定性和极低的功耗，确保系统心脏的强劲跳动。其逻辑电平门驱动特性，让您可以直接用微控制器的GPIO轻松驾驭，大大简化了驱动电路设计。

选择ZXMN10A08DN8TC，就是选择了一份可靠与高效的双重保障。在10V栅极电压下，仅250毫欧的最大导通电阻意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递而非转化为热量。同时，极低的栅极电荷（仅7.7nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，让整个系统运行得更“冷静”、更持久。其紧凑的8-SOIC封装，在为您节省宝贵PCB空间的同时，也通过了-55°C至150°C结温的严苛考验，适应从消费电子到工业环境的广泛需求。要获得如此性能与品质兼优的解决方案，选择可靠的DIODES代理至关重要，他们能为您提供正品保障与专业的技术支持，让您的创新之路畅通无阻。

• 型号:ZXMN10A08DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405pF @ 50V
• 功率 - 最大值:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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还在为复杂的双MOSFET布局和性能匹配烦恼吗？ZXMN10A08DN8TC为您提供了一站式的高效解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，将两个逻辑电平驱动的100V/1.6A开关集成于一个微小的8-SOIC封装内，让您轻松实现紧凑、高效的电路设计。

它卓越的电气参数是您性能飞跃的基石。低至250毫欧的导通电阻大幅降低了功率损耗，而仅7.7nC的栅极电荷则确保了迅猛的开关响应，共同助力您的系统提升能效、减少发热。无论是驱动电机、管理电源路径还是切换信号，它都能让您的产品运行得更稳定、更节能、更具市场竞争力。