ZXM64N02XTC

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为如何在小尺寸内实现高可靠性的功率开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出ZXM64N02XTC，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为突破空间与性能的极限而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现高效、紧凑、稳定运行的强大引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式消费电子产品，或是那些对空间极其敏感的DC-DC转换模块中，ZXM64N02XTC能够轻松胜任。其20V的漏源电压和高达5.4A的连续漏极电流，意味着它能够稳健地处理主流低压应用场景中的功率流。更令人印象深刻的是，在4.5V的驱动电压下，其导通电阻低至40毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽，续航更持久。无论是作为负载开关，还是电机驱动、电源管理中的关键开关，它都能确保能量以最高效的方式传递。

选择ZXM64N02XTC，就是选择了一份从容与安心。其紧凑的8-MSOP封装，完美契合现代电子产品小型化的趋势，为您节省宝贵的PCB空间。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，提升了产品的整体鲁棒性和可靠性。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES一级代理渠道，您依然可以获得稳定、有保障的货源，确保您的生产计划不受影响。这颗芯片集高性能、小尺寸与高可靠性于一身，是工程师在面对空间与效率双重挑战时的理想解决方案，它能有效降低系统复杂度，提升最终产品的市场竞争力。

• 型号:ZXM64N02XTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 3.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118
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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关吗？ZXM64N02XTC N沟道MOSFET正是为您而来。它能让您在紧凑的8-MSOP封装内，轻松驾驭高达5.4A的电流和20V的电压，其低至40毫欧的导通电阻，意味着更少的能量损耗和发热，直接助力您的产品提升能效，运行更持久、更凉爽。

这颗芯片的核心价值在于让您的设计化繁为简。无论是用于便携设备的负载开关、DC-DC转换，还是小型电机的驱动，它都能提供高效、可靠的开关性能。其优化的栅极电荷和输入电容特性，有助于简化您的驱动电路设计，让系统响应更迅捷。选择它，就是为您的产品注入一颗高效而强健的“心脏”，轻松应对各种低压高流的应用挑战。