ZXMHC10A07T8TA

在追求极致效率与紧凑设计的现代电子世界，您是否还在为复杂的电机驱动电路布局而烦恼？是否渴望一颗既能简化设计又能提升性能的集成化解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出ZXMHC10A07T8TA，这颗来自Diodes Incorporated的H桥MOSFET阵列芯片，正是为解放您的设计潜力而生。它将两个N通道和两个P通道MOSFET精妙集成于微小的SOT-223-8封装内，直接构成了一个完整的H桥拓扑，让您无需再为分立器件的选型、匹配和布局耗费心力，一步到位实现高效、可靠的电机驱动与控制。

想象一下，在您的智能家居设备中，无论是窗帘的自动开合、扫地机器人的精准转向，还是空气净化器的风门调节，都需要小巧、安静且高效的电机驱动。ZXMHC10A07T8TA正是为此类场景量身打造。其100V的耐压与1A/0.8A的连续电流能力，足以轻松驾驭各类小型有刷直流电机和步进电机。更低的导通电阻（典型值700毫欧）意味着更少的热损耗，让设备运行更凉爽、更持久；而极低的栅极电荷和输入电容，则确保了快速的开关响应，让电机控制更加精准、静音。无论是消费电子、办公自动化还是工业控制中的低功率执行机构，它都能成为您可靠的运动控制核心。

选择ZXMHC10A07T8TA，您选择的不仅仅是一颗芯片，更是一套经过优化的系统级解决方案。它极大地节省了宝贵的PCB空间，简化了BOM清单，加速了从设计到量产的整个过程。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）提供了强大的环境适应性，保障了产品在各种条件下的稳定运行。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的DIODES中国代理网络随时待命，为您提供从选型到交付的全方位服务。让ZXMHC10A07T8TA助您将创意快速转化为具有市场竞争力的产品，在效率与创新的道路上快人一步。

• 型号:ZXMHC10A07T8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SM8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A，800mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:138pF @ 60V，141pF @ 50V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-223-8
• 供应商器件封装:SM8
• 想获取ZXMHC10A07T8TA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为搭建H桥电路而组合多个分立MOSFET吗？ZXMHC10A07T8TA为您提供了一站式的高效解决方案。这颗芯片内部集成了2个N通道和2个P通道MOSFET，直接构成了一个完整的H桥，让您能够轻松驱动小型直流电机或执行其他双向负载控制任务。

凭借100V的耐压和最高1A的连续电流能力，它让您的设计拥有充足的余量和可靠性。其低至700毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，意味着更低的功耗和更快的开关速度，从而让您的系统运行更高效、控制更精准。采用紧凑的SOT-223-8封装，它能帮助您大幅节省电路板空间，简化布局，加速产品上市进程。