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BZT52C5V1S-7-F的图片

BZT52C5V1S-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323
原厂封装:封装:SOD-323
优势价格,BZT52C5V1S-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZT52C5V1S-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

想象一下,当您的便携设备遭遇突如其来的电压尖峰时,那颗关键的稳压保护元件能否始终如一地稳定输出?这正是BZT52C5V1S-7-F齐纳二极管为您带来的核心价值。在当今高密度、高性能的电子设计中,空间和可靠性同等重要,而这款来自Diodes Incorporated的精密稳压器件,以其5.1V的精准稳压能力和仅SOD-323的微型封装,完美解决了这一矛盾。它不仅是一个简单的保护元件,更是您电路设计中抵御电压波动、确保信号纯净的坚实屏障。

无论是智能手机中敏感的传感器供电线路,还是物联网设备中需要稳定参考电压的MCU核心,甚至是车载娱乐系统中易受干扰的音频模块,BZT52C5V1S-7-F都能大显身手。它的工作温度横跨-65°C至150°C的严苛范围,意味着从极寒户外到高温引擎舱旁,它都能保持±6%的高精度稳压性能。200mW的功率处理能力与仅60欧姆的动态阻抗,确保了它在吸收浪涌能量时快速响应且自身功耗极低,让您的系统即使在复杂电磁环境中也能保持优雅运行。选择我们的DIODES代理,您获得的不仅是这颗可靠的芯片,更是一整套从选型支持到库存保障的专业服务。

为何众多工程师在众多齐纳二极管中独独青睐它?答案在于其无与伦比的综合价值。表面贴装的SOD-323封装让自动化生产变得轻而易举,大幅提升您的生产效率并降低组装成本。2A@2V的超低反向泄漏电流特性,为电池供电设备延长了宝贵的工作时间。从原型设计到量产爬坡,BZT52C5V1S-7-F以其一致的性能和有源的供货状态,成为您项目中值得信赖的长期伙伴。它不仅仅稳定了电压,更稳定了您产品上市的时间表和最终用户的体验。当您寻求一个在性能、尺寸和可靠性上都无可挑剔的稳压解决方案时,这就是那个能让您安心画上对勾的选项。

  • 型号:BZT52C5V1S-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-76,SOD-323
  • 供应商器件封装:SOD-323
  • 想获取BZT52C5V1S-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能精准“锁住”电压,为精密电路保驾护航的微型卫士?BZT52C5V1S-7-F正是这样一款专为现代电子设备设计的5.1V齐纳稳压二极管。它能将您电路中的电压牢牢稳定在设定值,有效吸收浪涌和瞬态过压,保护后方昂贵的核心IC免受损坏。

凭借其仅200mW的功耗和SOD-323的超小封装,它能让您轻松实现高密度板级设计,同时其宽达-65°C至150°C的工作温度范围,确保您的产品在各种极端环境下依然稳定可靠。无论是用于电压基准、信号钳位还是简单的过压保护,它都能高效完成任务,让您的设计更稳健,产品更具竞争力。

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