ZXM61N02FTC

您是否正在为紧凑型电子设备寻找一颗既能高效开关、又能在有限空间内稳定工作的核心功率器件？想象一下，当您的便携式设备需要在瞬间完成能量切换，而传统的MOSFET却因为体积或性能限制让设计陷入瓶颈这正是ZXM61N02FTC大显身手的舞台。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其20V的耐压和1.7A的连续电流能力，完美平衡了性能与尺寸的矛盾，为您的小型化、高密度设计注入强劲动力。

无论是智能穿戴设备的电源管理、便携式医疗仪器的精准控制，还是消费电子中那些需要快速响应的负载开关，ZXM61N02FTC都能游刃有余。它的导通电阻低至180毫欧（在4.5V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了终端产品的能效和可靠性。配合仅2.7V的低驱动电压门槛，它甚至能与低功耗MCU直接对接，让您的系统设计更加简洁，省去复杂的驱动电路，从而加速产品上市时间。

选择ZXM61N02FTC，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一种可靠的设计哲学。它采用坚固的SOT-23-3封装，在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，确保了产品在各种严苛环境下的持久耐力。其极低的栅极电荷和输入电容，带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。当您需要可靠的供应链和技术支持时，我们的DIODES芯片代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。让这颗小巧而强大的MOSFET，成为您下一个创新产品中无声却关键的性能基石，助您轻松驾驭功率，释放设计潜能。

• 型号:ZXM61N02FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 930mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为空间有限的PCB布局而烦恼吗？ZXM61N02FTC正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET能为您高效、可靠地控制电路的通断，其1.7A的电流能力和20V的耐压，让它在便携设备、电源模块等应用中游刃有余，轻松胜任负载开关、电机驱动等关键任务。

它最大的魅力在于“高效省心”。仅需2.7V的低驱动电压即可高效开启，让您能直接搭配微控制器使用，简化设计。同时，低至180毫欧的导通电阻意味着更少的能量损耗和发热，直接提升您产品的整体能效和续航。采用标准的SOT-23-3贴片封装，节省宝贵的板级空间，让您的设计更紧凑、更优雅。