ZVP3310FTC

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在高压小信号电路中稳定可靠、节省空间的P沟道MOSFET而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍ZVP3310FTC，这颗来自Diodes Incorporated的精密器件，专为那些对性能和尺寸都极为苛刻的应用而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性、简化电路布局的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或精密仪器中，需要一颗能够承受高达100V电压的P沟道MOSFET来进行信号切换或电源路径管理。ZVP3310FTC正是为此场景量身打造。其仅75mA的连续漏极电流和低至20欧姆的导通电阻，确保了在微小电流控制场景下的高效与精准，最大程度减少能量损耗和热量产生。无论是用于电平转换、负载开关，还是作为模拟开关的一部分，它都能在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，让您的产品从容应对各种环境挑战。

选择ZVP3310FTC，意味着您选择了一种经过验证的解决方案。它采用经典的SOT-23-3封装，占板面积极小，非常适合高密度PCB设计，帮助您最大化利用每一寸宝贵的空间。尽管该型号已停产，但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量市场和延续性项目中依然具有不可替代的价值。当您需要获取这颗经典芯片或咨询Diodes全线产品时，可以随时联系专业的DIODES代理商，他们能为您提供全面的技术支持与供应链服务。让ZVP3310FTC成为您经典设计中那颗值得信赖的“心脏”，以微小的体积，释放稳定强大的控制力。

• 型号:ZVP3310FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在设计需要高压、小电流精准控制的电路吗？ZVP3310FTC正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有100V的漏源电压承受能力，让您能在各种高压小信号场景中安心进行切换与控制，其仅75mA的连续电流和优异的导通特性，专为高效、低损耗的设计目标服务。

它采用微小的SOT-23-3表面贴装封装，能轻松融入高密度的电路板布局，为您节省宝贵的空间。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在严苛环境下的可靠性。简而言之，ZVP3310FTC能让您以更简洁的电路、更小的体积，实现稳定可靠的高压开关功能，是提升产品整体性能与竞争力的理想选择。