FMMT416TD

当您的设计需要一颗能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾高效能与紧凑尺寸的晶体管时，您是否曾为选型而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案FMMT416TD。这颗来自Diodes Incorporated的雪崩晶体管，以其高达100V的集射极击穿电压和500mA的集电极电流能力，为您的高压开关、驱动及保护电路注入强劲而可靠的核心动力。它不仅是一个元件，更是您产品性能飞跃、可靠性提升的关键拼图。

想象一下，在您的电源管理模块中，它能够轻松应对瞬间的电压尖峰，确保后级电路安然无恙；在工业控制板的信号隔离与驱动部分，其低至100mV的饱和压降意味着更低的功耗与更少的热量产生，让系统运行更冷静、更持久。无论是消费电子中的背光驱动、便携设备里的负载开关，还是汽车电子、通信基站中对稳定性要求极高的场合，FMMT416TD都能凭借其宽工作温度范围（-55°C至150°C）和卓越的DC电流增益（最小100 @ 10mA, 10V），在各种复杂应用场景中游刃有余，成为工程师信赖的“隐形守护者”。

选择FMMT416TD，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与前瞻性的设计自由度。其经典的SOT-23-3封装，在为您节省宝贵PCB空间的同时，也简化了生产贴装流程。更重要的是，当您通过值得信赖的DIODES芯片代理进行采购时，您获得的将不仅仅是这颗高性能芯片本身，还包括稳定的供货保障、专业的技术支持以及完整的产品链服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。立即体验FMMT416TD带来的变革，为您的下一个创新设计奠定坚实可靠的基石。

• 型号:FMMT416TD
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 晶体管类型:NPN 雪崩模式
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:100mV @ 1mA，10mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 10mA，10V
• 功率 - 最大值:500 mW
• 频率 - 跃迁:40MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
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还在寻找一颗能兼顾高压、高速与高可靠性的信号开关核心？FMMT416TD正是为您而来的答案。这颗NPN型雪崩晶体管，拥有100V的高耐压和500mA的电流处理能力，让您在设计高压侧驱动、精密负载开关或脉冲电路时，能够轻松应对电压冲击，确保系统稳定运行。

它的优势远不止于此。极低的Vce饱和压降（仅100mV）能显著减少导通损耗，提升整体能效；高达40MHz的过渡频率，确保了快速的开关响应，让您的电路动作干净利落。其坚固的SOT-23封装和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，意味着它能够适应从消费电子到工业自动化等各种苛刻环境，为您提供持久可靠的表现。