ZVP3306FTC

当您的设计需要一颗能够在紧凑空间内稳定控制信号、高效管理电源路径的P沟道MOSFET时，您是否曾为寻找性能与体积的完美平衡而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出ZVP3306FTC，这颗来自Diodes Incorporated的微型功率开关，正是为应对现代电子设备的严苛挑战而生。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品可靠性、简化电路布局、赢得市场竞争力的秘密武器。

想象一下，在您的便携式设备、智能穿戴或精密传感器模块中，空间何其珍贵。ZVP3306FTC以其极致的SOT-23-3封装，几乎不占用任何宝贵的PCB面积，却能稳健地承担起60V的漏源电压和90mA的连续电流处理能力。这意味着，无论是作为负载开关、电源选择器，还是在电池供电系统中进行高效的功率分配，它都能游刃有余。其10V的驱动电压和低至14欧姆的导通电阻，确保了开关动作迅速且能量损耗极低，直接为您的产品带来更长的续航时间和更低的发热表现。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，更是让它无惧严寒酷暑，在各种恶劣环境下依然稳定如初，为产品的全天候可靠运行保驾护航。

选择ZVP3306FTC，就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。尽管该型号已处于停产状态，但其经典的设计和卓越的性能使其在特定应用和库存市场中依然极具价值。对于寻求高性价比、成熟稳定解决方案的工程师而言，它代表着一个不会出错的选择。当您需要获取这颗经典芯片或咨询其替代方案时，可以随时联系我们的DIODES代理商，他们将为您提供专业的技术支持和可靠的供应链服务。让ZVP3306FTC成为您下一个成功设计的坚实基石，用最小的空间，释放最大的能量，共同创造更智能、更可靠的电子未来。

• 型号:ZVP3306FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取ZVP3306FTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的电路板布局和有限的功率预算头疼吗？让ZVP3306FTC来为您分忧！这颗P沟道MOSFET是您进行高效信号切换与电源管理的得力助手。它能在高达60V的电压下，以90mA的电流稳定工作，凭借其低至14欧姆的导通电阻和10V的低驱动电压，显著降低开关损耗和系统功耗，让您的设计更节能、更高效。

它采用超小的SOT-23-3表面贴装封装，能轻松融入任何紧凑的空间，极大简化您的PCB布局。宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下的卓越可靠性。无论是用于便携设备的负载开关、电源路径管理，还是信号隔离，ZVP3306FTC都能让您以极简的设计，实现稳定可靠的性能，助您轻松应对产品开发中的功率控制挑战。