BSS84DW-7

在追求极致紧凑与高效能的设计中，您是否常为电路板空间捉襟见肘而烦恼？想象一下，一个仅占SC-88封装微小面积的解决方案，却能同时提供两个独立的P沟道逻辑电平MOSFET通道，这就是BSS84DW-7为您带来的设计革命。它不仅仅是一个双MOSFET阵列，更是您在高密度PCB布局中实现信号切换、负载控制与电源管理的得力助手，让有限的板载空间发挥出双倍的价值。

无论是便携式消费电子产品的电源路径管理，还是工业传感器模块中的低功耗信号隔离，BSS84DW-7都能游刃有余。其50V的漏源电压和130mA的连续漏极电流能力，确保了在多种低压应用场景下的稳定与可靠。当您需要高效驱动小型继电器、LED阵列，或在电池供电设备中实现精细的电源门控时，这颗芯片的逻辑电平门特性（Vgs(th)最大仅2V）意味着它能被微控制器GPIO口直接驱动，无需额外的电平转换电路，大大简化了您的设计，降低了整体BOM成本。其低至45pF的输入电容，更能确保快速的开关响应，提升系统效率。

选择BSS84DW-7，就是选择了一种经过市场验证的集成化设计思路。它将两个分立器件合二为一，不仅节省了宝贵的PCB面积，还减少了贴片工序，提升了生产良率。尽管该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES授权代理渠道，您依然可以获得稳定可靠的货源，为现有产品设计提供延续性保障，或用于特定的小批量、高性能需求项目。其-55°C至150°C的宽广工作结温范围，更是赋予了产品应对严苛环境挑战的底气。让BSS84DW-7助您化繁为简，以双通道的集成优势，释放设计潜能，打造出更小巧、更智能、更可靠的终端产品。

• 型号:BSS84DW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45pF @ 25V
• 功率 - 最大值:300mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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还在为电路板上的每个平方毫米而精打细算吗？BSS84DW-7正是为您的高密度设计而生。这颗来自Diodes Incorporated的双P沟道MOSFET阵列，将两个逻辑电平门MOSFET集成于微小的SC-70-6封装内，让您轻松实现信号切换与低功率负载控制，同时大幅节约布局空间。

它能让您高效地管理便携设备中的电源路径，或驱动小型外围设备。其5V逻辑电平驱动特性，可直接与您的微处理器对接，省去复杂电路；10欧姆的典型导通电阻配合130mA的电流能力，确保高效低耗的运行。选择它，就是选择了一种更简洁、更紧凑的电路解决方案。