ZVP2110ASTOA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在高压、小电流应用中稳定可靠地控制电源通断的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案ZVP2110ASTOA。这颗来自Diodes Incorporated的经典MOSFET，以其高达100V的漏源电压和230mA的连续漏极电流能力，为您的电路提供了坚固的电气屏障和精准的电流控制。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性、简化设计复杂度的得力助手。

想象一下，在您的电池管理模块中，需要一颗器件来防止反接或实现负载的优雅关断；在您的工业传感器或通信模块的电源路径中，需要一个高效的电子开关来管理不同功能单元的供电。ZVP2110ASTOA正是为此而生。其P沟道特性让它在高侧开关应用中布线更为简便，无需复杂的电荷泵或自举电路，10V的驱动电压即可实现低至8欧姆的导通电阻，确保在导通状态下功率损耗极小。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，意味着无论您的设备身处严寒户外还是高温机箱内部，它都能稳定工作，为产品全天候可靠运行保驾护航。

选择ZVP2110ASTOA，就是选择了一份经过市场验证的安心。经典的TO-92兼容（E-Line）通孔封装，不仅便于原型制作和手工焊接，也兼容成熟的自动化生产工艺。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础使其在存量市场和特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。为了确保您能获得正品货源和稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的DIODES中国代理进行采购，他们不仅能提供可靠的原厂器件，还能为您带来专业的技术选型支持和库存解决方案，让您的产品生命周期管理再无后顾之忧。

• 型号:ZVP2110ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 375mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVP2110ASTOA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、精准控制小电流通断的“电源守门员”吗？ZVP2110ASTOA正是您理想的选择。这颗P沟道MOSFET就像一个高效可靠的电子开关，仅需10V电压即可轻松驱动，在导通时阻抗极低，能显著减少功率损耗，让您的电路运行更凉爽、更高效。

它专为高压小电流的开关应用而优化，无论是电池供电设备的电源路径管理、信号隔离，还是各种需要高侧开关控制的场景，它都能出色胜任。其坚固的构造支持从-55°C到150°C的极端温度，确保您的产品在各种苛刻环境下稳定如一。选择它，就是为您的设计注入一份经久考验的可靠性。