ZXM61P02FTC

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定控制电流、同时兼顾成本与可靠性的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的出色解决方案ZXM61P02FTC。这款来自Diodes Incorporated的经典器件，以其卓越的性能和广泛的适用性，即使在停产状态下，依然因其出色的库存价值和成熟的设计支持，成为众多工程师在特定项目中的信赖之选。

想象一下，在您的便携式设备、智能穿戴或IoT模块中，需要一颗小巧但强大的“电力开关”。ZXM61P02FTC正是为此而生。它采用微型的SOT-23-3封装，却能从容应对20V的漏源电压和高达900mA的连续电流，其低至600毫欧的导通电阻（在4.5V Vgs下）意味着更低的功率损耗和更长的电池续航。无论是负载开关、电源路径管理，还是电机驱动、信号切换，它都能以极高的效率执行任务，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更优的能耗表现脱颖而出。

选择ZXM61P02FTC，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下稳定工作。虽然该型号已停产，但通过可靠的DIODES芯片代理渠道，您依然可以获取高质量的库存，用于产品生命周期维护、特定批次生产或成本敏感型设计，这为您的供应链提供了宝贵的灵活性和延续性。让这颗久经沙场的“老兵”，继续为您的创新产品保驾护航，实现性能与价值的完美平衡。

• 型号:ZXM61P02FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 610mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在寻找一颗能轻松搞定低侧开关或电源管理的微型MOSFET吗？ZXM61P02FTC就是您的理想答案。这颗P沟道MOSFET拥有20V耐压和900mA的电流处理能力，凭借其低至1.5V的阈值电压和仅需2.7V即可高效驱动的特性，让您能在电池供电的便携设备中轻松实现高效的功率控制。

它采用超小的SOT-23-3封装，为您节省宝贵的PCB空间，而其低导通电阻和快速开关特性，则能显著降低系统功耗与发热，提升整体能效。无论是用于负载开关、电平转换，还是电机驱动，它都能让您的设计更紧凑、运行更高效、性能更可靠。