ZVP2106AS

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款性能稳定、成本可控的P沟道MOSFET而反复权衡？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案ZVP2106AS。这款来自Diodes Incorporated的经典器件，以其60V的漏源电压和280mA的连续漏极电流能力，在众多应用中持续证明着其卓越的价值。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品稳定性和简化设计流程的得力助手。

想象一下，在您的电源管理模块、负载开关或信号切换电路中，ZVP2106AS正默默发挥着关键作用。其P通道设计非常适合用于高侧开关控制，能够轻松应对电池供电设备、便携式仪器以及各类消费电子产品的功率管理需求。得益于仅10V的驱动电压和低至5欧姆的导通电阻，它能有效降低开关损耗，提升整体系统效率，让您的产品在续航和发热表现上更具竞争力。即使在-55°C到150°C的宽温范围内，它依然能保持稳定工作，确保您的设备在各种严苛环境下可靠运行。

选择ZVP2106AS，就是选择了一份经过市场长期验证的安心。经典的TO-92-3通孔封装，为原型设计、测试乃至成熟量产提供了极高的便利性和兼容性。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES一级代理渠道，您依然可以获取到品质有保障的库存，为现有产品的维护与延续性生产提供坚实支持。它代表了一种务实的设计哲学用最成熟可靠的方案，解决最核心的电路问题，将您的研发精力聚焦于更具创新性的功能实现上。

• 型号:ZVP2106AS
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取ZVP2106AS的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的高效开关控制寻找核心器件吗？ZVP2106AS正是您需要的答案。这颗P沟道MOSFET能为您提供高达60V的电压耐受和280mA的电流处理能力，让您在设计电源路径管理、信号隔离或负载开关时更加得心应手。

它凭借仅需10V的低驱动电压和优异的导通特性，能显著降低系统的功耗与发热，直接提升终端产品的能效与可靠性。无论是用于便携设备还是工业控制模块，它都能让您的设计更简洁、运行更稳定。选择它，就是为您的项目选择了一份经过时间考验的性能保障。