ZVP0120ASTOB

在追求极致能效的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持低功耗的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的可靠解决方案ZVP0120ASTOB。这款由Diodes Incorporated精心打造的MOSFET，以其200V的高耐压和110mA的连续漏极电流能力，在众多应用场景中展现出卓越的性能与稳定性，即使面对复杂的电路环境，也能让您的设计游刃有余。

想象一下，在您的电源管理模块、工业控制接口或者需要高压侧开关的场合，ZVP0120ASTOB能够轻松胜任。它采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，不仅便于焊接和测试，更以其成熟可靠的工艺，确保了批量生产的一致性与长期使用的耐久性。其仅需10V的驱动电压即可实现高效导通，最大导通电阻低至32欧姆@125mA，这意味着更低的导通损耗和更高的系统整体效率，直接为您的产品带来节能优势和市场竞争力。

选择ZVP0120ASTOB，就是选择了一份经过时间考验的安心。尽管该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其成为特定升级项目或现有产品维护中的理想选择。它不仅仅是一个电子元件，更是您电路设计中坚实可靠的后盾。当您需要稳定可靠的供应链支持时，可以随时联系专业的DIODES代理商，获取关于库存、替代方案或技术方面的专业咨询，确保您的项目顺利进行。

• 制造商产品型号：ZVP0120ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 110MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：110mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 欧姆 @ 125mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：100pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• 想获取ZVP0120ASTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小电流开关电路的选择而犹豫吗？让ZVP0120ASTOB为您提供清晰答案。这颗P沟道MOSFET是您实现高效、可靠高压侧控制的得力助手，其200V的漏源电压和110mA的连续电流能力，让您在设计电源隔离、信号切换或负载驱动电路时信心倍增。

它采用经典的TO-92兼容封装，便于您快速进行原型验证与生产。仅需10V驱动电压即可实现低至32欧姆的导通电阻，显著降低功耗与发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的稳定与高效。