DMN100-7-F

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中，您是否还在为寻找一款性能可靠、体积小巧的功率开关解决方案而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMN100-7-F，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足现代电子设备对高效、稳定与微型化的严苛要求而生。

想象一下，在您的便携设备、电源管理模块或电机驱动电路中，一颗芯片如何悄然改变一切。DMN100-7-F凭借其30V的漏源电压和1.1A的连续漏极电流能力，为低压领域的开关与控制提供了坚实的性能基石。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下仅240毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航。无论是智能穿戴设备中精准的电源路径管理，还是消费电子主板上的负载开关，它都能以出色的能效表现，让您的产品在竞争中脱颖而出。

将视野投向更广阔的应用舞台，这颗芯片的价值无处不在。在需要快速响应的DC-DC转换器中，其低至5.5nC的栅极电荷和150pF的输入电容，确保了超快的开关速度，让电压转换更加迅捷平滑。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，赋予了它应对严苛环境挑战的底气，无论是工业传感节点还是车载电子设备，都能稳定运行。而其经典的SC-59-3表面贴装封装，在节省宝贵PCB空间的同时，也简化了您的生产流程。当您需要可靠且高性能的半导体解决方案时，选择一家值得信赖的DIODES芯片代理至关重要，他们能确保您获得正品货源与专业的技术支持。

那么，为何最终选择DMN100-7-F？因为它不仅仅是一个参数列表，更是一个经过市场验证的价值承诺。它将Diodes Incorporated的卓越工艺浓缩于方寸之间，在性能、尺寸与可靠性之间取得了完美平衡。它让您的设计摆脱臃肿与低效，迈向精致与强大。选择它，就是为您的产品选择了一位沉默而高效的“能量管家”，以微小的身躯承载起系统稳定运行的重任，助您轻松攻克设计难关，赢得市场先机。

• 型号:DMN100-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关芯片吗？DMN100-7-F正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V/1.1A的稳健规格，其核心优势在于极高的开关效率低至240毫欧的导通电阻和仅5.5nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源管理或电机控制应用运行得更凉爽、更迅捷。

它专为空间受限的现代电子设备优化。采用紧凑的SC-59-3表面贴装封装，能轻松融入您的便携式产品、物联网模块或板载电源设计中，大幅节省布局空间。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的可靠性与稳定性。选择DMN100-7-F，就是选择让您的设计轻松实现高效、紧凑与可靠的三重提升。