ZVNL120GTA

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为平衡性能与空间而妥协？想象一下，一颗仅需3V驱动电压即可高效导通的功率开关，能为您的设计带来怎样的变革？这正是ZVNL120GTA为您呈现的答案。作为Diodes Incorporated精心打造的高性能N沟道MOSFET，它凭借200V的耐压能力和高达320mA的连续漏极电流，在微小的SOT-223封装内注入了强大的能量控制核心，让您的产品在激烈的市场竞争中率先赢得能效优势。

无论是需要精密开关控制的智能家居设备，还是对空间极其敏感的便携式医疗仪器，甚至是要求高可靠性的工业传感器模块，ZVNL120GTA都能游刃有余。其低至10欧姆的导通电阻（在5V驱动下）意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体效率与长期稳定性。在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持稳定表现，确保您的设备在各种严苛环境下依然可靠运行。这种由内而外的稳健性，正是现代电子产品所渴求的基石。

选择ZVNL120GTA，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它让您能够轻松实现更简洁的电路布局，减少散热设计负担，从而加速产品上市进程。其表面贴装型封装完美适配自动化生产，助力您降本增效。当您需要可靠、高效且易于采购的半导体解决方案时，通过专业的DIODES中国代理获取这颗芯片，将是确保供应链顺畅与技术支持到位的明智之举。让ZVNL120GTA成为您下一个爆款产品的隐形引擎，驱动创新，赢得市场。

• 型号:ZVNL120GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVNL120GTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗既能承受200V高压，又能在紧凑空间内高效工作的功率开关而烦恼吗？ZVNL120GTA正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，让您仅用3V的低驱动电压，就能轻松控制高达320mA的电流通路，显著降低系统功耗，提升整体能效。

它集低导通电阻、优异的开关特性与SOT-223的小尺寸封装于一身，能帮助您大幅简化电源管理、负载开关或电机驱动等电路设计。无论是提升现有产品的性能，还是为创新设计寻找可靠核心，ZVNL120GTA都能让您的开发工作更加高效顺畅，是实现高性能、高可靠性设计的理想选择。