DMN10H170SVTQ-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在紧凑空间内实现高效能量转换的MOSFET，将如何彻底改变您的产品设计。现在，答案就在DMN10H170SVTQ-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压能力和2.6A的连续漏极电流，为您带来了性能与尺寸的完美平衡。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、实现产品小型化与可靠性的关键引擎。

无论是需要高效DC-DC转换的便携式设备，还是对空间极为敏感的LED驱动电路，或是各类适配器、电机控制模块，DMN10H170SVTQ-13都能游刃有余。其低至160毫欧的导通电阻（在5A，10V条件下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的设备在长时间运行中依然保持冷静与稳定。而高达150°C的结温工作范围，则赋予了它应对严苛环境挑战的强大底气，确保从消费电子到工业控制的各种应用场景下，性能始终如一。

选择DMN10H170SVTQ-13，就是选择了一份值得信赖的承诺。它采用先进的TSOT-26封装，在节省宝贵PCB空间的同时，提供了优异的散热性能和贴装可靠性。其优化的栅极电荷（Qg）特性，有助于降低驱动损耗，简化您的驱动电路设计，从而加快产品上市速度。当您需要稳定可靠的供货与专业的技术支持时，我们的官方DIODES代理商网络随时待命，为您从选型到量产的全过程保驾护航。让这颗高效能、小封装的MOSFET，成为您下一款明星产品中不可或缺的“心脏”，驱动无限可能。

• 型号:DMN10H170SVTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在为寻找一颗既高效又紧凑的功率开关而烦恼吗？DMN10H170SVTQ-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和2.6A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅160毫欧@5A,10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

它采用微小的TSOT-26表面贴装封装，让您能在极其有限的空间内布局功率电路，轻松实现产品的小型化与轻量化设计。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各种环境下的稳定运行。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，DMN10H170SVTQ-13都能让您的设计更高效、更可靠。