ZVNL120CSTOA

在追求极致能效与稳定性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在高压小电流场景下可靠工作的开关器件而烦恼？想象一下，一个仅需3V驱动电压就能高效导通，却能从容应对200V高压的解决方案，将如何简化您的电路设计，并提升整体系统的可靠性？这正是ZVNL120CSTOA为您带来的核心价值。

这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的漏源电压和180mA的连续漏极电流能力，天生就是为那些需要精密控制与高压隔离的应用而准备。无论是智能家居中继器的信号切换、工业传感器模块的电源管理，还是消费电子设备中的辅助开关电路，它都能凭借极低的驱动门槛（Vgs(th)仅1.5V）和仅10欧姆的导通电阻，确保信号清晰、功耗更低。其经典的E-Line（TO-92兼容）封装，更是为工程师提供了熟悉的通孔安装选项，让升级或替换设计变得轻而易举。

选择ZVNL120CSTOA，不仅仅是选择了一个参数合格的MOSFET。您选择的是在严苛电压环境下的一份从容，是凭借仅85pF的输入电容实现的快速开关响应，以及高达700mW的功率耗散能力所带来的散热余量。这意味着您的产品在面对电压波动时更稳健，在频繁开关时更迅捷，在长期运行时更耐用。当您需要可靠的元器件供应链支持时，专业的DIODES代理将是您坚实的后盾，确保您能顺畅地将这颗高效能的“开关艺术大师”集成到您的下一个创新产品中。

• 型号:ZVNL120CSTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVNL120CSTOA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小信号电路的开关选择犯难吗？让ZVNL120CSTOA成为您设计中的得力助手！这颗N沟道MOSFET能以最低3V的电压轻松驱动，却可稳健掌控高达200V的电压，其180mA的电流处理能力与仅10欧姆的导通电阻，完美适用于需要高效、低损耗切换的精密电路。

它采用经典的TO-92兼容封装，让您的原型制作与生产安装都倍感熟悉与便捷。无论是用于电源管理模块、信号隔离路径还是各种控制接口，ZVNL120CSTOA都能让您的系统运行更高效、更可靠，助您轻松实现设计目标。