DMP4015SK3Q-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMP4015SK3Q-13，这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，正是为打破性能瓶颈、重塑效率标准而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现高效、可靠、小型化设计的强大引擎。

想象一下，在您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关应用中，一颗芯片如何能同时实现低导通电阻、快速开关和卓越的散热表现。DMP4015SK3Q-13正是为此而来。其11毫欧的超低导通电阻（最大值），意味着在电流通过时产生的热量损耗被降至极低，直接提升了系统的整体效率，让宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非白白浪费在发热上。高达40V的漏源电压和14A（Ta）/35A（Tc）的连续漏极电流能力，赋予了它应对各种严苛工况的底气，无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，它都能游刃有余，稳定输出澎湃动力。

选择DMP4015SK3Q-13，就是选择了一种更智慧的设计哲学。它采用行业通用的TO-252（DPAK）表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的封装热性能更能确保芯片在高负载下持续稳定工作，工作温度范围宽达-55°C至150°C，从容应对极端环境挑战。更低的栅极电荷和优化的开关特性，让您的系统开关速度更快，响应更迅捷，整体动态性能显著提升。当您需要可靠、高性能的半导体解决方案时，选择值得信赖的DIODES代理，就是为您的项目成功上了一道坚实的保险。让DMP4015SK3Q-13成为您下一款明星产品的“心脏”，与我们一同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:DMP4015SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4234 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMP4015SK3Q-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP4015SK3Q-13正是您的理想之选。它能为您提供高达40V的电压耐受和14A/35A的强大电流处理能力，其核心价值在于仅11毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您系统的整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片专为简化您的设计、提升产品竞争力而生。它采用易于焊接和散热的TO-252表面贴装封装，能轻松集成到空间受限的PCB布局中。优化的栅极驱动特性（Vgs(th)最大2.5V）让您能够用更低的驱动电压实现高效控制，配合其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的应用无论是面对消费电子的日常使用，还是工业环境的严苛考验，都能稳定如一，高效运行。