ZVN4310GTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关电源的损耗和发热问题而烦恼？想象一下，一个关键的控制开关，既要承受高达100V的电压冲击，又要保证快速、干净的开关动作，同时还要将宝贵的PCB空间和系统温升控制在最低限度这听起来像是一个苛刻的挑战，但ZVN4310GTA的出现，让这一切变得简单而高效。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和紧凑的封装，正在重新定义中小功率开关应用的效率标准。

无论是为您的智能家居设备设计一个高效的AC-DC适配器，还是在工业自动化模块中实现精准的电机驱动或负载开关，ZVN4310GTA都能游刃有余。它的100V漏源电压和1.67A连续电流能力，为各种离线式开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器以及电池管理电路提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至540毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了终端产品的可靠性和续航能力。选择我们作为您的DIODES芯片代理，您获得的不仅是一颗可靠的芯片，更是从选型到供应的全程专业支持。

当您深入评估选型理由时，会发现ZVN4310GTA的智慧远不止于参数表。它采用行业通用的SOT-223封装，在有限的占板面积内实现了高达3W的散热能力，让您的设计在小型化的道路上没有后顾之忧。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了从严寒到酷暑各种严苛环境下的稳定运行。其优化的栅极特性（Vgs(th)最大3V）使其能够与常见的3.3V或5V微控制器直接兼容，无需复杂的驱动电路，简化了系统设计，加速了您的产品上市时间。归根结底，选择ZVN4310GTA，就是选择了一种集高性能、高可靠性和高设计自由度于一体的解决方案，它默默无闻地工作在电路的核心位置，却是您产品赢得市场口碑的关键基石。

• 型号:ZVN4310GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.67A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:540 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVN4310GTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、高效完成开关任务的“得力干将”吗？ZVN4310GTA正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有1.67A的连续电流输出能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值540毫欧@10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，既能节省宝贵的PCB空间，又提供了出色的散热性能。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作。无论是用于AC-DC适配器、DC-DC转换器，还是作为系统中的负载开关，ZVN4310GTA都能以出色的性能，让您的设计事半功倍，轻松应对能效与尺寸的双重挑战。