ZVNL110ASTOB

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定处理中压信号的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典答案ZVNL110ASTOB。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和320mA的连续漏极电流能力，在众多需要高效信号切换与电源管理的应用中，始终扮演着可靠基石的角色。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现设计精简、性能提升的关键一环。

想象一下，在您的智能家居控制器、便携式医疗监测设备或是工业传感器模块中，ZVNL110ASTOB能够轻松胜任负载开关、信号隔离或低功率电机驱动等任务。其经典的E-Line（TO-92兼容）封装，让它在空间受限的PCB板上游刃有余，同时通孔安装方式提供了坚固的机械连接，确保在振动或温度变化环境下依然稳定。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，意味着它能陪伴您的产品从容应对严苛的环境挑战，无论是炎夏还是寒冬，性能始终如一。

选择ZVNL110ASTOB，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了它是一款在长期应用中积累了卓越口碑的成熟产品，特别适合那些追求经典、稳定、高性价比解决方案的延续性项目或特定市场需求。其仅需5V至10V的低驱动电压即可实现高效导通，最大3欧姆的导通电阻确保了较低的功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。当您需要为这样的经典芯片寻找稳定可靠的供应渠道时，可以信赖专业的DIODES授权代理，他们能为您提供完善的技术支持与供应链服务，确保您的项目顺畅无阻。

• 制造商产品型号：ZVNL110ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：320mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：75pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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您正在设计需要精妙控制电流通断的电路吗？ZVNL110ASTOB正是为您而来。这颗N沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的电子开关，能帮助您轻松管理高达100V电压、320mA电流的通路。凭借其低至1.5V的阈值电压和最高10V的驱动需求，它能被微控制器或逻辑电路轻松唤醒，实现快速、精准的开关动作。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。它采用经典的TO-92兼容封装，节省宝贵的电路板空间，同时其坚固的通孔结构确保了连接的可靠性。无论是用于电源管理、信号切换还是驱动小型负载，ZVNL110ASTOB都能以低导通损耗和稳定的性能，让您的产品运行更高效、更持久，是您构建可靠电子系统的得力助手。