ZVN4306ASTZ

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受适中电压、又具备出色开关性能的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经典而可靠的选择ZVN4306ASTZ。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的漏源电压和1.1A的连续漏极电流能力，在众多应用中证明了其稳定与高效的价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化电源管理方案的得力助手。

想象一下，在您的电源转换模块、电机驱动控制板或是负载开关电路中，ZVN4306ASTZ正默默发挥着关键作用。其5V的低驱动电压门槛，让它在微控制器或逻辑电平信号下也能轻松、高效地导通，大大简化了您的驱动电路设计。高达850mW的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，意味着它能在各种严苛环境下稳定运行，无论是工业自动化设备中的辅助电源切换，还是消费电子产品中的节能控制，它都能游刃有余，确保系统长期可靠。

选择ZVN4306ASTZ，就是选择了一份经过市场验证的安心。经典的TO-92兼容封装（E-Line），使其在通孔安装应用中兼容性极佳，便于生产和维修。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能使其在存量市场及特定延续性项目中依然极具吸引力。对于需要稳定供应和专业技术支持的客户，通过值得信赖的DIODES中国代理，您依然可以获取可靠的货源和深入的产品应用指导，确保您的设计延续性与供应链安全。让这颗经典MOSFET的强大能量，继续为您的创新产品注入活力与可靠性。

• 型号:ZVN4306ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:850mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVN4306ASTZ的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松驾驭60V以下电路、开关利落又省心的MOSFET吗？ZVN4306ASTZ正是为您而来！这颗N沟道MOSFET能为您高效地完成负载开关、电源路径管理和电机驱动等任务。其1.1A的连续电流能力和低至330毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更高的能效，让您的系统运行更凉爽、更持久。

更令人心动的是，它仅需5V的栅极电压即可实现优异导通，让您能轻松搭配各种微控制器和逻辑电路，无需复杂的电平转换，设计变得简单高效。宽广的工作温度范围和坚固的E-Line封装，确保了它在从消费电子到工业控制等各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的项目选择了一份经过时间考验的可靠与高效。