ZVN3320ASTZ

在追求极致能效与稳定性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下精准控制微小电流的可靠开关而烦恼？当传统方案在效率与体积间难以两全，ZVN3320ASTZ的出现，正是为了终结这种妥协。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的高耐压和仅为100mA的连续漏极电流能力，精准定位于那些需要高压隔离、低功耗切换的关键节点。它不仅仅是一个晶体管，更是您系统实现高效能量管理、提升整体可靠性的智能钥匙。

想象一下，在您的智能家居电源模块中，它默默守护着待机电路的开关，确保极低的泄漏电流；在工业传感器的信号调理前端，它稳定地执行着高压侧的低电流切换，让数据采集更精准；甚至在老式设备的升级改造中，其经典的TO-92兼容封装（E-Line）让替换和集成变得异常轻松。无论是消费电子中的辅助电源管理，还是通讯设备里的接口保护，ZVN3320ASTZ都能凭借其出色的性能，在高压与小电流的交叉领域游刃有余，将复杂的电路设计化繁为简。

选择它，意味着您选择了一份经过市场验证的稳健。高达625mW的功率耗散能力，确保了在紧凑空间内的散热可靠性；仅需10V的驱动电压即可实现低导通电阻，大大简化了驱动电路设计，节省了您的BOM成本和PCB空间。尽管该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其成为特定升级或延续性设计的经典之选。通过值得信赖的DIODES代理渠道，您依然可以获取这款品质可靠的元器件，为您的项目注入一份历久弥新的核心动力。让ZVN3320ASTZ成为您设计中那个沉默却强大的基石，开启高效与稳定并存的新篇章。

• 型号:ZVN3320ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、低电流开关任务的“得力干将”吗？ZVN3320ASTZ正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有200V的高耐压，能为您在电源隔离、信号切换等场景提供坚固的保护屏障，同时其100mA的电流处理能力，让您精准控制微小能量流，实现高效节能。

它采用经典的TO-92兼容封装，让您的替换和安装工作变得无比轻松。仅需10V电压即可高效驱动，导通电阻低至25欧姆，这意味着更低的导通损耗和更简洁的外围电路设计，直接帮助您降低系统复杂度和整体成本。选择ZVN3320ASTZ，就是为您的产品选择了一份简单、可靠的高压开关解决方案。