ZVN3310FTC

在追求极致能效的电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高压、又能实现精准小电流控制，同时还能节省宝贵PCB空间的开关器件而烦恼？现在，答案来了。让我们向您隆重介绍ZVN3310FTC，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为应对这些挑战而生的精巧解决方案。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品可靠性与性能的秘密武器。

想象一下，在您的便携式设备电源管理模块中，需要一颗器件来高效切换信号或控制微小负载；或者在工业传感器的接口电路中，需要一个可靠的开关来隔离或驱动后续电路。ZVN3310FTC凭借其100V的漏源电压耐压值和100mA的连续漏极电流能力，游刃有余地应对这些场景。其高达±20V的栅源电压范围提供了更强的驱动灵活性，而低至40pF的输入电容确保了快速的开关响应，让您的系统反应更加敏捷，整体运行更为流畅高效。

选择ZVN3310FTC，意味着您选择了一种经过市场验证的稳健设计。它采用经典的SOT-23-3封装，体积小巧，非常适合高密度电路板布局，帮助您最大化利用每一寸空间。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其成为特定升级项目或经典设计延续的可靠选择。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过授权的DIODES一级代理进行采购。让这颗小巧但强大的MOSFET，成为您下一个成功设计中不可或缺的一环，以卓越的稳定性和性价比，助力您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:ZVN3310FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取ZVN3310FTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的高压小信号切换寻找最佳拍档吗？ZVN3310FTC N沟道MOSFET就是您期待的答案。它能轻松胜任高达100V电压下的开关任务，并以最高100mA的电流驱动您的负载，其10V驱动电压下优异的导通特性，让控制精准又高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计更紧凑、更可靠。采用微型SOT-23-3贴片封装，为您节省宝贵的电路板空间。同时，其宽广的-55°C至150°C工作结温范围和稳定的性能，确保您的产品在各种严苛环境下都能持续稳定运行，是提升产品整体品质与可靠性的明智之选。