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MMBZ5242BW-7-F的图片

MMBZ5242BW-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 12V 200MW SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,MMBZ5242BW-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MMBZ5242BW-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路遭遇意外浪涌,一个可靠的保护方案往往决定了产品的成败。今天,我们向您隆重介绍MMBZ5242BW-7-F,这颗来自Diodes Incorporated的12V齐纳二极管,正是您电路中的“稳压卫士”,以其精准的电压箝位能力和卓越的可靠性,为您的设计筑起一道坚固防线。

想象一下,在便携式消费电子、通信模块或汽车电子控制单元中,电源线路上的微小扰动都可能引发连锁反应。MMBZ5242BW-7-F的核心价值在于其精准的12V稳压点与±5%的严格容差。这意味着它能在电压意外升高时迅速动作,将关键节点的电压牢牢锁定在安全范围内,有效防止后续敏感器件过压受损。其高达200mW的功率处理能力,配合仅30欧姆的最大动态阻抗,确保了在箝位过程中响应快速、损耗更低,为系统整体能效加分。无论是为微处理器、传感器还是射频模块提供参考电压或过压保护,它都能无缝融入,成为提升产品耐用性与口碑的隐形功臣。

选择MMBZ5242BW-7-F,就是选择了一份从容与安心。它采用紧凑的SOT-323表面贴装封装,极大地节省了宝贵的PCB空间,非常适合当今高密度集成的设计趋势。从-65°C到150°C的宽工作温度范围,让它无惧严寒酷暑,从容应对工业、车载等严苛环境挑战。其极低的反向泄漏电流(仅1A @ 9.1V)和正向压降特性,进一步保障了电路在静态与动态下的高效与纯净。当您需要稳定可靠的元器件供应链时,通过值得信赖的DIODES代理进行采购,不仅能确保产品原装正品与及时供货,更能获得专业的技术支持,让您的产品从设计到量产一路畅行。让MMBZ5242BW-7-F成为您下一个成功项目的可靠基石,用微小的投入,守护巨大的价值。

  • 型号:MMBZ5242BW-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 12V 200MW SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 A @ 9.1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取MMBZ5242BW-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的电压基准不稳或防护不足而烦恼吗?MMBZ5242BW-7-F齐纳二极管正是您期待的解决方案。它就像一个智能的电压“守门员”,精准地将电压稳定在12V,容差严格控制在±5%以内,让您的核心电路始终工作在安全区,彻底告别因电压漂移或浪涌导致的性能下降或损坏风险。

这颗芯片能让您的设计更稳健、更高效。它拥有200mW的功率处理能力和低至30欧姆的动态阻抗,响应迅速且自身损耗小。其SOT-323超小封装为您节省宝贵空间,而-65°C至150°C的宽温工作范围,则让它能轻松应对从消费电子到汽车应用的各类严苛环境。选择它,就是为您的产品选择了一份简单而强大的可靠性保障。

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